Программа курса "Теория полупроводников"

(9 семестр, 36 часов, экзамен)

1. Методы расчета энергетического спектра электронов, спектры узкощелевых полупроводников и материалов типа A³В⁵.

2. Проблемы обоснования зонной теории и задачи, выходящие за ее рамки. Адиабатическое приближение. Представление о поляроне, экситоне. Роль экранирования.

3. Внутризонное и межзонное поглощение света, прямые и непрямые переходы. Комбинированная плотность состояний и критические точки. Полупроводник в квантующем магнитном поле и диамагнитный резонанс.

4. Горячие электроны. Роль межэлектронного взаимодействия, электронная температура. Физические эффекты, обусловленные разогревом электронов. Нелинейные вольт-амперные характеристики. Явления электрической неустойчивости, представление об электрических доменах.

5. Механизмы рекомбинации в полупроводниках. Роль многофононных процессов. Каскадная рекомбинация. Захват на отталкивающие центры.

Литература

1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Изд. 2-е. М., Наука, 1990.
2. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. Изд. 2-е. М., Наука, 1978.
3. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М., Наука, 1972.
4. Бассани Ф., Пастори Парравиччини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в полупроводниках. М., Наука, 1982.
5. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные явления в полупроводниках. М., Наука, 1972.

Другие курсы, читаемые на кафедре