|
| Виктор Сергеевич Вавилов -- заведующий кафедрой физики полупроводников в период с 1961 по 1991 гг. |
В.С. Вавилов увлекался физикой с юных лет. По предложению своего отца -- Сергея Ивановича Вавилова -- он перевел с английского на русский язык биографию известного американского физика -- Роберта Вуда, которая потом выдержала несколько изданий и возбудила интерес к науке у многих молодых людей. Отслужив в армии с 1939 г. и приняв участие в обороне Ленинграда, он кончил Ленинградский Университет и сделал дипломную работу в Государственном Оптическом Институте под руководством академика А.А. Лебедева по фотоэлектрическим свойствам сульфида свинца. Потом он занимался ядерной физикой и, как специалист, знавший английский язык, был рекомендован на работу под руководством академика Д.В. Скобельцына в Советскую часть Комиссии по атомной энергии ООН в Нью-Йорке.
Там он обратил внимание на работы Ларк-Горовица по действию излучений на полупроводники. Так весьма плодотворно объединились интересы В.С. Вавилова к разным разделам физики, что оказало влияние на его работу на многие годы вперед. Вернувшись в Москву, он проводил исследования в Физическом Институте в лаборатории Б.М. Вула. Начало его работ на кафедре физики полупроводников, было очень успешным. Поэтому Ректор МГУ И.Г. Петровский предложил ему возглавить кафедру. Виктор Сергеевич принял предложение, оставшись на основной работе руководителем сектора в ФИАН. Он был заведующим кафедрой 30 лет, с 1961 по 1991 гг.
Еще в конце 50-х гг. Университет начал ходатайствовать перед Правительством об организации Проблемной Лаборатории по физике и химии полупроводников с частями, соответственно, на физическом факультете -- при кафедре физики полупроводников, на химическом факультете -- при кафедре неорганической химии (заведующий -- академик А.В. Новоселова). Положительное решение Правительства состоялось в 1962 г., и В.С. Вавилов стал научным руководителем физической части Лаборатории. Это решение дало возможности приобретения нового оборудования и материалов для спектральных исследований, для измерений при низких температурах, для более точных электрических измерений. Тематикой Лаборатории было исследование энергетических спектров и электронных переходов в полупроводниках для научного обоснования применений полупроводников как приемников и источников излучения и регистраторов информации. Такая широкая формулировка проблемы давала возможность развивать исследования в различных новых направлениях. В связи с организацией лаборатории кафедра получила возможность зачислять в штат научных сотрудников из оканчивающих обучение аспирантов и дипломников. Был пополнен и стал лучше оплачиваться кадровый технический и лаборантский персонал, который во многом способствовал экспериментальным исследованиям (техники-лаборанты Н.И. Панина и Н.И. Данилова, хоз. лаборант А.Д. Темкин, механики В.П. Якименко, В.Д. Харитонов). Лаборатория существовала до начала 70-х гг., когда изменились формы финансирования науки.
В 1959 г. была опубликована теоретическая работа Н.Г. Басова, Б.М. Вула, О.Н. Крохина и Ю.М. Попова об условиях инверсного распределения в полупроводниках. На кафедре обсуждались возможности применения полупроводника -- сернистого галлия (Ga2S3) -- как аналога рубина, были получены образцы Ga2S3 из Ленинградского ФТИ, -- но идея не оправдалась.
В это время в ФТИ Б.В. Царенков в лаборатории Д.Н. Наследова разработал технологию создания диодов из p-n-переходов в арсениде галлия, а А.А. Рогачев в лаборатории С.М. Рывкина провел опыты по люминесценции этих диодов. Наблюдавшееся сужение спектральной линии электролюминесценции при больших токах было описано в их публикации в апреле 1962 г. как возможное проявление вынужденного излучения. Эта публикация вызвала острый интерес американских ученых, которые предположили, что русскими уже создан полупроводниковый лазер и из соображений секретности в заявочной публикации не приведены истинные результаты. В ноябре и в ФИАН, и в ФТИ были присланы препринты статей из лабораторий Ай-Би-Эм, Дженерал Электрик и Белл, сообщавших о когерентном излучении лазерных диодов из GaAs.
В.С. Вавилов сразу передал копии статей А.Э. Юновичу с просьбой сделать доклад об этой проблеме на семинаре. Доклад бурно обсуждался, и было решено форсировать работы по лазерам из GaAs на кафедре. В декабре был получен из лаборатории М.Г. Мильвидского в ГИРЕДМЕТ монокристалл GaAs с нужной концентрацией электронов, и уже в феврале группа, в которой работали П.Г. Елисеев, инженер И.А. Находнова, студенты А.Б. Ормонт, Л.А. Ангелова и В.М. Стучебников, наблюдала под ИК-микроскопом излучение диффузионных p-n-переходов. Точная ориентация монокристаллических пластин GaAs позволила сделать зеркальные грани лазерного резонатора; в статье в журнале ПТЭ были описаны резонаторы различной формы, которые могут быть получены методом скалывания. Наблюдение спектров в ИК- спектрометре было продемонстрировано Декану факультета проф. В.С. Фурсову. Дифракционный спектрограф, переделанный А.Б. Ормонтом в спектрометр, позволил разрешить тонкую структуру спектров когерентного излучения лазерных диодов.
Группы ФИАН и ФТИ, которым принадлежали первые советские публикации по полупроводниковым лазерам, были удостоены Ленинской премии. Университетская группа получила новые возможности для развития, А.Б. Ормонт и Л.И. Ангелова, а затем и В.М. Стучебников были оставлены в аспирантуре, к ним присоединился Э.А. Полторацкий. Работа об излучательной рекомбинации в GaAs диодах с примесью Be была представлена на Международной Конференции по полупроводникам в Париже. Были сделаны работы по инжекционным лазерам с треугольным резонатором, с лазерами из GaAs:Be. Н.Г. Басов предложил перспективную работу в ФИАН П.Г. Елисееву, впоследствии лауреату Государственной Премии, автору ряда книг по полупроводниковым лазерам.
М.В. Чукичев создал установку по исследованию катодолюминесценции вплоть до гелиевых температур с импульсными токами плотностью до 10 А/см2 при энергиях электронов в пучке до 70 кэВ. В создании установки принимали участие аспиранты и студенты В.Д. Негрий (потом -- ведущий сотрудник Института Физики Твердого Тела в Черноголовке), З.Т. Азаматов (потом -- профессор Ташкентского Университета), Р.Х. Вагапов (потом -- профессор Института Авиационных Инженеров), О.Н. Ермаков (потом -- ведущий сотрудник НИИ "Сапфир"). Возможности установки оказались уникальными для возбуждения люминесценции широкозонных полупроводников. На ней были получены оригинальные результаты для кристаллов групп AIV, AIIIBV, AIIBVI, AIIBV, легированных различными примесями или подвергнутых действию радиации, термообработкам, деформациям. Эти результаты широко использовались многими авторами, вошли в монографии и физические справочники.
На этой же установке проводились исследования процессов образования дефектов под действием пучка электронов с подпороговыми энергиями на кристаллы Ge и InSb, вошедшие в диссертацию Ананда Ока (потом руководителя группы разработок кремниевых фотоэлементов в Индии). Исследования действия излучения на Si и CdTe проводились М.В. Чукичевым совместно с лабораториями НИИ Ядерной Физики МГУ, Физико-Энергетического Института (г. Обнинск), Объединенного Института Ядерных Исследований (г. Дубна). Они были связаны с разработкой полупроводниковых счетчиков частиц высоких энергий.
Исследования действия излучений на Si имели не только принципиальный научный интерес, связанный с возникновением дефектов в твердых телах по действием радиации. Они были важны для разработок применений кремниевых фотопреобразователей на первых советских космических спутниках, опережавших аналогичные американские разработки.
В.С. Вавилов был в составе коллектива ученых и инженеров, удостоенного Государственной премии за разработки кремниевых фотоэлементов. Обнаруженное старение фотоэлементов под действием космического излучения потребовало научных исследований взаимодействия примесей с радиационными дефектами. Один из важных результатов работ М.В. Чукичева и аспирантки И.В. Крюковой (потом руководителя отдела в НИИ Оптико-Физических Измерений) -- залечивающее действие примеси лития в кремнии на радиационные дефекты. Оно существенно продлило срок службы кремниевых солнечных батарей.
Создание установки и разработка методики исследований ЭПР при гелиевых температурах заняли довольно много времени, в этом принял участие дипломник С.Н. Козлов (потом профессор факультета). Эксперименты были начаты в 60-х гг. В.С.Вавилов активно поддержал это направление и по его инициативе был проведен цикл исследований ЭПР в кремнии. Были получены новые результаты о свойствах радиационных дефектов (А-центров), составившие основу диссертации О.Г. Кошелева. В частности, времена спин-решеточной релаксации при 4,2 К для них оказались выше 20 мин., что потребовало существенного развития методики измерений ЭПР.
Исследования были продолжены студентом Ю.П. Ковалем (потом сотрудником ИОФАН) и аспирантом А.Г. Клявой (потом профессором Латвийского Университета и Университета в Бордо). Были исследованы времена спин-решеточной релаксации электронов и сечения фотоионизации примесей (P, As) и радиационных дефектов (А-центров) в Si. Была налажена методика измерений циклотронного резонанса (ЦР) при одноосных сжатиях и исследованы времена релаксации и механизмы рассеяния легких и тяжелых дырок при этих условиях. Исследования ЦР в Si при одноосных сжатиях в 70-е гг., проведенные при подсветке Si CO2-лазером, позволили изучить анизотропию рассеяния и междолинные переходы дырок, оценить время релаксации горячих дырок (диссертация А.Г. Казанского, ставшего сотрудником кафедры).
Развитие работ в 70-80-е гг. было направлено на расширение спектральных измерений в субмиллиметровый и длинноволновый ИК-диапазон. Были созданы установки с применением ламп обратной волны, разработанных в ИОФАН и НИИ Исток под руководством М.Б. Голанта. В этих работах кафедра постоянно сотрудничала с лабораторией Е.М. Гершензона в МГПИ. Методические усилия позволили исследовать поглощение субмиллиметрового излучения в n-Ge, обнаружить его анизотропию при одноосном сжатии (диссертация В.М. Сапцина, потом -- доктора наук в Куйбышевском Университете).
Эти исследования сделали важный вклад в научное обоснование практических разработок длинноволновых ИК-фотоприемников из Si и Ge.
Изучение поглощения в диапазоне длин волн 2 мм--20 мкм в Si-структурах с тонкими сильно легированными слоями позволило предложить новый метод определения проводимости и времен релаксации в тонких слоях. Развитие подобных методов при подсветке было использовано для бесконтактного контроля слоистых структур в разработках кремниевых фотопреобразователей. За один из методов О.Г. Кошелев и В.А. Морозова получили патент России.
В первых опытах по фотолюминесценции GaP при гелиевых температурах наблюдались серии ярких зеленых линий, которые были ранее обнаружены в работах Е.Ф. Гросса в Ленинграде и Томаса в лабораториях Белл и объяснены примесью азота. Подробный цикл исследований примеси азота в GaP и твердых растворах продолжался на кафедре много лет как в связи с разнообразием спектров этой примеси -- модельной для изоэлектронных ловушек -- активаторов люминесценции, так и с разработкой и применением GaP в зеленых светодиодах. Весьма интересными для понимания процессов рекомбинации были исследования спектров излучения донорно-акцепторных пар. Фосфид галлия стал модельным непрямозонным полупроводником. Обзор оптических свойств и люминесценции GaP, написанный А.Э. Юновичем, вошел в книгу по излучательной рекомбинации в полупроводниках, был переведен на немецкий и польский языки.
В этих работах участвовали студенты и аспиранты Р. Биндеманн (потом -- профессор Дрезденского Технического Университета), З. Выборны (потом -- руководитель светодиодной лаборатории фирмы Тесла), М. Мунир (потом -- профессор Каирского Университета), А.В. Белоглазов (потом -- руководитель лаборатории полупроводниковых тензодатчиков), Т.Д. Айтикеева (потом -- зав. кафедрой физики полупроводников в Киргизском Университете), Н.Р. Нуртдинов (потом -- руководитель группы в НИИ ПФ), Э.Ю. Баринова (потом -- руководитель группы в НИИ Источников Тока), инженеры И.К. Лазарева и Л.И. Белогорохова.
Работы по GaP велись в содружестве с промышленными лабораториями НИИ "Сапфир", ГИРЕДМЕТ, ОКБ завода "Старт" и внесли свой вклад в широкий промышленный выпуск светодиодов в нашей стране. За работы по светодиодам конца 70-х гг. А.Э. Юновичу совместно с В.И. Петровым (кафедра физической электроники) была присуждена премия Минвуза СССР.
Одновременно проводились исследования излучательной рекомбинации в других полупроводниках группы AIIIBV. Был сделан цикл работ по туннельной излучательной рекомбинации в прямозонных полупроводниках -- арсениде и антимониде галлия, фосфиде индия -- аспиранты А.Б. Ормонт (потом руководитель группы в ИРЭ), В.М. Стучебников (потом один из руководителей Ульяновского Центра Микроэлектроники). Этот эффект -- излучательный аналог эффекта Франца-Келдыша -- оказался важным для понимания характеристик сильно легированных p-n-переходов. Результаты цикла докладывались на Международных Конференциях и вошли в книги других авторов.
Влияние примесей на излучательную рекомбинацию в антимониде галлия -- было исследовано в цикле работ, в котором принимали участие студенты и аспиранты А.Р. Силинь (потом -- профессор Латвийского Университета), Н.В. Кравченко (потом сотрудник НИИ ПФ, лауреат Государственной Премии), А.С. Кюрегян (потом зав. лабораторией ВЭИ), А.И. Лебедев (потом -- доктор наук, преподаватель кафедры), О.В. Рычкова (потом -- преподаватель Института Химического Машиностроения). Работы велись совместно с группой И.А. Стрельниковой (Институт Металлургии). Были получены рекордные тогда значения квантового выхода ИК-излучения GaSb-светодиодов при комнатной температуре и предложены их применения для измерений влажности, защищенные авторскими свидетельствами.
В 70-е гг. эти работы продолжил А.А. Белов, руководивший группой после отъезда В.Д. Егорова на работу в Германию. Группой И.А. Куровой и им были поставлены исследования спектров отражения узкозонных полупроводников типа твердых растворов теллурида кадмия-ртути или халькогенидов свинца-олова. В работах участвовал студент А.И. Белогорохов (потом -- руководитель группы в ГИРЕДМЕТ). Важные научные результаты, полученные в этих работах: определение особенности структуры края запрещенной зоны, измерения эффективных масс носителей и энергий оптических фононов из спектров, обусловленных взаимодействием излучения со свободными носителями или с колебаниями решетки. Практический интерес был обусловлен разработками ИК-фотоприемников из этих материалов, и работы проводились в содружестве с прикладными организациями -- ГИРЕДМЕТ и НИИ Прикладной Физики.
На основе спектрометра FIS-21 в 80-х гг. в спецпрактикуме кафедры была поставлена задача об отражении света свободными носителями и определении плазменной частоты. Затем он был передан на кафедру низких температур.
После этой Конференции несколько американских физиков приехали в Советский Союз, среди них был Дж. Бардин -- один из первооткрывателей транзисторов; он прочел лекцию на семинаре акад. И.Е. Тамма и В.Л. Гинзбурга в ФИАН, на котором были и сотрудники кафедры. У. Данлеп -- автор переведенной на русский язык книги по физике полупроводников -- после визита на кафедру МГУ дал высокую оценку ее программам и практикуму в статье в "Physics Today".
В.Л. Бонч-Бруевич и В.С. Вавилов участвовали в Международных Конференциях по физике полупроводников в Париже в 1964 г. и в Киото в 1966 г. как докладчики. Важным этапом в развитии международных связей стала Международная Конференция по физике полупроводников, проходившая в 1968 г. в Московском Университете. Все члены кафедры, аспиранты и студенты участвовали в ее подготовке и организации. В.С. Вавилов -- зам. председателя Оргкомитета, В.Л. Бонч-Бруевич -- председатель локальной орг. комиссии, А.Э. Юнович -- ученый секретарь Конференции. На Конференции присутствовало около тысячи участников и гостей из всех стран мира, из всех республик и научных центров Советского Союза. Многие делегаты Конференции посетили кафедру, обсуждали ее учебные планы, знакомились с научными работами и практикумом. Конференция была прекрасной школой для студентов и аспирантов, многие из которых помогали иностранцам как переводчики и гиды. Контакты, установленные на конференции, продолжались потом годами.
Известный китайский физик Хуан Кунь, сотрудник Макса Борна, будущий Президент Китайской Академии Наук, возвращаясь из Англии в Китай, посетил в Москве Университет, часть визита провел на кафедре и взял программы курсов по физике полупроводников. Через два года в Китае вышел учебник Хуан Куня и Сё Си До по физике полупроводников, следовавший этим программам. (Учебник В.Л. Бонч-Бруевича и С.Г. Калашникова на русском языке был издан позже.) В 60-е гг. кафедру посещали многие видные зарубежные ученые: лекцию для всего факультета прочел Б. Лэкс -- тогдашний Президент Американского Физического Общества; лекцию для всего факультета в день студенческого праздника -- дня Архимеда -- прочел лауреат Нобелевской Премии В. Шокли; лекцию на кафедре прочел С. Хилсум -- потом Президент Британского Института Физики.
После Всемирного Фестиваля Молодежи и студентов в Москве в 1957 г. в Московский Университет стали приезжать учиться студенты из многих стран, прежде всего из стран Восточной Европы и развивающихся стран. Физика полупроводников была на взлете, и среди приезжавших на Физический факультет каждый год были желающие учиться на кафедре физики полупроводников. Первым иностранным аспирантом был упомянутый К.П. Тиссен. После него аспирантом был К. Константинеску (потом профессор Бухарестского Университета). На кафедре учились многие студенты, аспиранты и стажеры из ГДР: Г. Петерс, Р. Линк, П. Берндт, Б. Эссер, Р. Биндеманн, Ф. Галески, Кл. Херрманн. Они успешно работали в области физики полупроводников как профессора Университетов и научные работники у себя в Германии. Л. Лейстнер и Д. Патаки из Венгрии; М. Врана, З. Выборны, Я. Штефаник из Чехословакии, Н. Стелиан из Румынии, М. Костюх из Польши, Д. Григоров из Болгарии -- все они специализировались на кафедре полупроводников и потом работали как физики в разных Университетах и лабораториях на родине.
В 1957 г. на кафедру была зачислена группа китайских студентов, успешно ее кончивших, которые потом стали ведущими специалистами в Китае (Ли Бинь Цзун -- профессор университета Фудан, Кан Чан Хэ -- профессор университета Джи-Линь). С начала 60-х гг. на кафедре стали учиться студенты и аспиранты из арабских стран. Несмотря на трудности освоения языка и недостаточность предварительного уровня знаний, после нескольких лет работы на кафедре они становились настоящими специалистами, и у себя на родине много сделали и для высшего образования, и для научных исследований. В Египте это были Г.Х. Талат (профессор Национального Исследовательского Центра), Эль Вахейди (зав. кафедрой физики Александрийского Университета), М. Мунир (профессор Каирского Университета). В Сирии -- Ф. Такля, в Тунисе -- А. Беннасер, в Ираке -- М. Аль-Кувейти. Аспиранты кафедры, приехавшие из Индии, Арун П. Кульсрешта, Ананд Ок сделали на кафедре научные работы и стали на родине видными учеными. В 60--70 гг. на кафедру окончили студенты и аспиранты из Вьетнама: Ву Ван Лык, Ле Тхань Конг, Зуан Мьен, Нгуен Нгует Тинь. На кафедре учились студенты из Бразилии (А.Энрикес, Э. Да Силва), Кубы (П. Диас, В. Эррера Пальма), Эфиопии (Г. Берхане), Монголии (О. Лувсанвандан, Ж. Чимедбазарын, Л. Чадрабал) -- они продолжали потом заниматься физикой полупроводников.
В 60-х гг. Московский Университет начал заключать Договора о содружестве с зарубежными Университетами; это продолжается вплоть до последнего времени. В предложениях разных Университетов была тематика по полупроводникам (Берлинский им. Гумбольдта, Сорбонна в Париже, Софийский им. Охридского, Бухарестский, Карлов в Праге, Свободный в Мадриде, Марбургский, Васеда в Токио). Кафедра успешно сотрудничала со разными научными группами в этих Университетах. Наиболее плодотворными были связи с кафедрами теории твердого тела (Р. Эндерлайн, Р. Кайпер, Б. Эссер) и экспериментальной физики полупроводников (Кл. Херрманн, Кар. Херрманн, П. Берндт) Университета им. Гумбольдта. В 80-е гг. было плодотворным сотрудничество И.П. Звягина и А.Г. Казанского с университетами Марбургским и Васеда.
Благодаря Договорам сотрудники кафедры могли стажироваться или работать в зарубежных Университетах. В.Л. Бонч-Бруевич читал лекции в Университетах Геттингенском, им. Гумбольдта, Гаванском; И.П. Звягин и А.Г. Миронов работали в университете им. Гумбольдта; И.П. Звягин стажировался в Сорбонне и преподавал в Алжирском Университете; И.А. Курова читала лекции в Софийском и Монгольском университетах; А.Г. Казанский стажировался в Стенфордском, Марбургском, Васеда и Мадридском; А.Э. Юнович читал лекции в Университетах им. Гумбольдта, Гаванском, Китайском Науки и Технологии, Каирском, Делийском; В.В. Остробородова читала лекции в Гаванском университете, она и В.Б. Дик поставили там задачи в спецпрактикуме и создали установки для выращивания полупроводниковых кристаллов.
Параллельно этим курсам на семинаре студентам давались необходимые для усвоения теоретические задачи. По семинару В.Л. Бонч-Бруевич в соавторстве с И.П. Звягиным, А.Г. Мироновым и И.В. Карпенко (потом -- доцент МАДИ) написали учебное пособие, выдержавшее переиздание, переведенное на немецкий, испанский и венгерский языки. Дж. Панков, автор книги по оптическим свойствам полупроводников, переведенной на русский язык, говорил, что пользоваться задачником в американских университетах удобно -- студенты не знают русского языка и не могут подглядеть ответ.
Лекции по действию излучений на полупроводники, которые читал В.С. Вавилов, стали основой нескольких монографий и учебных пособий. Книга по первоначальному курсу, была связана с работами до начала 60-х гг. Курс изменялся и дополнялся со временем, что отражалось в публикациях. Книга в соавторстве А.Е. Кивом и О.Р. Ниязовой отражала интерес к образованию радиационных дефектов. Книга в соавторстве с В.Ф. Киселевым и Б.Н. Мукашевым -- к дефектам в кремнии. Учебное пособие В.С. Вавилова, Н.П. Кекелидзе (Тбилисский университет) и Л.С. Смирнова (ИФП СОАН) было сжатым изложением лекций, читавшихся в разных Университетах (соавторы начинали ранее научную работу вместе с В.С. Вавиловым в ФИАН). В книге в соавторстве с А.А. Гиппиусом и Е.П. Коноровой рассмотрены свойства алмаза как полупроводника, дефекты в нем, оптические явления, люминесценцию; она на годы предвосхитила интерес к применению алмаза в микроэлектронике.
Из этого курса в начале 70-х гг. был выделен курс оптических явлений в полупроводниках, который первые два года читал, как совместитель, А.А. Гиппиус, а потом -- А.Э. Юнович. Оптические явления приобретали с течением времени все большее значение, как для фундаментальных проблем, так и для практических -- в связи с развитием оптоэлектроники. В 70-е гг. курс был дополнен лекциями А.Г. Казанского по магнитооптике полупроводников. Итогом работы над курсом были учебные пособия, написанные А.Э. Юновичем в конце 80-х гг.
Курс физики полупроводниковых приборов после Н.А. Пенина в 60-е гг. читал А.Э. Юнович. В него были включены главы по приборам с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диоды Ганна, тиристоры), по светодиодам и инжекционным лазерам, по свойствам гетеропереходов. Методическая разработка этих лекций была напечатана офсетной печатью факультета и долгое время служила как студентам, так и преподавателям других ВУЗов. Лекции слушали сотрудники московских промышленных Институтов. Этот курс был прочитан инженерам НИИ "Исток", НИИ ПФ, НИИ-20 МОП. В 70--80-х гг. курс читал М.В. Чукичев. В него были включены главы о приборах с зарядовой связью, фотоприемниках, детекторах излучений, о микроэлектронике.
Курс полупроводниковых материалов и их технологии после В.Г. Алексеевой много лет читала В.В. Остробородова. Быстрое развитие этой области потребовало существенного расширения программы. Кроме Ge и Si, с которых она начиналась, в программу были включены свойства соединений групп AIIIBV, AIIBVI, AIVBVI, их твердых растворов. Рассматривалось поведение различных примесей в полупроводниках, технология выращивания и легирования различных кристаллов. Методическое пособие, написанное В.В. Остробородовой и напечатанное в конце 80-х гг., в сжатой форме излагало программу, содержание которой занимает тома. В 70-е гг. курс был дополнен спецкурсом И.А. Куровой, которая рассматривала различные методы исследования примесей в полупроводниках. Затем этот курс в 80-е гг. был изменен и посвящен фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках.
Учебные пособия и методические разработки кафедры публиковались издательствами МГУ, "Наука", "Высшая Школа", офсетной печатью факультета. Подготовка их к печати велась профессорами и преподавателями с неоценимой помощью А.К. Куприяновой -- секретаря кафедры. Десятки кандидатов и докторов наук оформляли свои диссертации также с ее помощью.
Обучение в спецпрактикуме кафедры было разделено на два цикла. Один был посвящен измерениям электрических свойств материалов и основным параметрам -- концентрации и подвижности основных носителей тока, их зависимостям от температуры; временам жизни и диффузионным длинам неосновных носителей; термо-э.д.с.; определению ширины запрещенной зоны. Второй был посвящен p-n-переходам -- невырожденным в Si, вырожденным туннельным в GaAs, излучательной рекомбинации в прямозонных и непрямозонных AIIIBV, фотоэлементам в Si. Методика была модернизирована, использованы новые приборы. Пособия по практикуму, написанные В.В. Остробородовой, В.Д. Егоровым, А.Э. Юновичем, трижды переиздавались и использовались во многих ВУЗax. Экспериментальное обучение проводилось и в радиопрактикуме, который сначала вел Я.Е. Покровский на основе ламповых схем. Затем А.Э. Юнович и М.В. Чукичев разработали программу на основе транзисторных схем. С развитием микроэлектроники в программу были включены микросхемы. В конце 80-х гг. практикум был заменен спецкурсом по применению компьютеров и микропроцессоров в экспериментах, разработанным А.И. Лебедевым; студенты практиковались в работе с компьютерами.
Многие выпускники кафедры продолжали и продолжают ее традиции, став преподавателями различных ВУЗов. На кафедрах физики московских институтов успешно работают А.Н. Ковалев (профессор МИСИС), Э.А. Полторацкий (профессор МИЭТ), М.А. Юшина, И.В. Карпенко и Г.К. Ипполитова (доценты МАДИ), Т.С. Днепровская (доцент Военно- воздушной Академии им. Жуковского), Р. Вагапов (профессор МИИГА), Л.А. Шарендо (доцент МИСИС), О.В. Рычкова (ст. преподаватель МИХМ), Н.Е. Кургаева (ст. преподаватель МПГУ). В.М. Ярцев стал профессором Челябинского университета.
В своих республиках вели педагогическую работу Ж. Паносян (профессор Ереванского Политехнического Института), М.Е. Маринчук (зав. кафедрой Кишиневского Политехнического Института), З. Касаманян (профессор Ереванского Университета), Я.А. Рознерица (доцент Тираспольского Пед. Института), А.Р. Силинь и Я.Г. Клява (профессора Латышского Университета), Т.Д. Айтикеева (зав. кафедрой Киргизского Университета), Г. Расулова (Ашхабадский Ин-т Физики), А.Н. Ботоев (Бурятский Филиал АН).
Физический факультет много лет вел работу по повышению квалификации преподавателей ВУЗов страны (ФПК). Каждый семестр на факультете проходили стажировку преподаватели по различным специальностям. Многие из них выбирали для стажировки кафедру физики полупроводников, слушали на ней спецкурсы и потом использовали их в своей педагогической работе. В.С. Вавилов и В.Л. Бонч-Бруевич читали отдельные лекции для всего потока слушателей ФПК. Лекции А.Э. Юновича по физике полупроводников регулярно слушали преподаватели кафедр общей физики; для этого курса был разработан цикл лекционных демонстраций в физическом кабинете и написано учебное пособие. Лекции были переработаны для курсов усовершенствования учителей в МГУ. Специалисты по полупроводникам использовали ФПК для подготовки диссертаций и консультировались на кафедре: А.В. Симашкевич, И.А. Андроник (Кишиневский Университет), Б.Н. Мукашев (Казахский Университет), А. Сакалас (Вильнюсский Университет), И. Пипинис (Шауляйский Пед. Институт), Н.Б. Трофимова (Саратовский Университет), В.И. Искра (Киевская СХА) и др. Преподаватели ФПК использовали спецпрактикум для постановки задач в своих ВУЗах.
Кафедра проводила и научно-популярную работу. Еще в 50-е гг. научно-популярная киностудия сняла с помощью сотрудников кафедры фильм "Работают полупроводники". В начале 60-х гг. В.С. Вавилов прочел по московскому телевидению лекцию в учебной программе для школьников. В издательстве общества "Знание" были опубликованы научно-популярные брошюры по полупроводникам, написанные В.С. Вавиловым и А.Э. Юновичем. Интересную работу со студентами вел В.Л. Бонч-Бруевич как руководитель школы молодого лектора на факультете. Он давал им основы лекторского искусства и прививал вкус к педагогической работе. После него несколько лет школу вел А.Э. Юнович.
Отношения преподавателей и студентов кафедры выходили за чисто рабочие рамки. Ежегодно устраивались вечера встречи с чаепитиями, либо в общежитии, либо в кафе. Студенты готовили капустники с вариациями на темы кафедральной жизни. Изготовлялись памятные значки, стенные газеты. Проводились конкурсы КВН преподавателей и студентов. Сочинялись скетчи и куплеты, музыкальные номера, которые исполняли студенты, талантливые не только в науке. Пример Сергея Никитина, студента факультета, ставшего известным эстрадным певцом, был заразителен; некоторые из студентов кафедры потом выступали на полупрофессиональной сцене (М.С. Федоров).