Кошелев Олег Григорьевич

Научные интересы

Некоторые публикации

• Кошелев О.Г. Физические явления в фотоуправляемых модуляторах на основе кремния в стационарных условиях. 1. Радиоэлектроника. т. 10, с. 47-53 (1990).
• Кошелев О.Г., Плескачева Т.Б. Физические явления в фотоуправляемых модуляторах на основе кремния при нестационарных условиях. 2. Радиоэлектроника, т. 10, с. 53-58 (1990).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А. Способ определения электрофизических параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур. Патент России No. 2019890. Бюлл. изобрет. 17, (1994).
• Кошелев О.Г., Семененя Т.В., Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Маймасов А.Б. Диэлектрическая проницаемость диарсенида цинка в СВЧ диапазоне. Вестник МГУ. Физика. Астрономия, сер. 3, т. 37, в. 4, с. 102-105 (1996).
• Koshelev O.G., Morozova V.A. A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p-n junctions. Solid-State Electronics, v. 39, No. 9, p. 1379-1383 (1996).
• Кошелев О.Г., Форш Е.А. Контроль неоднородностей проводимости вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин. Изв. РАН. т. 62, в. 12, с. 2422-2427 (1998).
• Кошелев О.Г, Форш Е.А. Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин. Электронный журнал "Радиоэлектроника" N 1, (2000).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А. Компенсационные методы определения времени жизни неосновных носителей заряда в P-N структурах. Инженерная физика, N 2, с. 30-35 (2000).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А. Устройство для бесконтактного определения времени жизни неосновных носителей заряда неосновных носителей заряда в пластинах кремния с P-N переходами. Заводская лаборатория, т. 66, в. 10, с. 34-35 (2000).
• Garvin V.N., Kozlova Y.P., Veretenkin E.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Verbitskaya E.M., Markov A.V., Polyakov A.Y., Koshelev O.G, Morozova V.A. Bulk GaAs as a Solar Neutrino Detector. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, v. 466, No. 1, р. 119-125 (2001).
• Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г. Энергетические уровни структурных дефектов в диарсениде цинка. Неорганические материалы, т. 38, в. 4, с. 409-414 (2002).
• Kozlova J.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Gavrin V.N., Koshelev O.G., Markov A.V., Morozova V.A., Polyakov A.J., Verbitskaya E.M., Veretenkin E.P. A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurements. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, v. 512, No. 1-2, р. 1-7 (2003).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В. Диагностика неоднородности распределения рекомбинационных центров в кремниевых фотопреобразователях по спектрам фототока. Изв. РАН, сер. физ., т. 68, в. 12, с. 1807-1811 (2004).
• Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Михайлов С.Г., Кошелев О.Г. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxAs2. Неорган. матер., т. 41, в. 3, с. 268-272 (2005).
• Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Трухан В.М. Особенности краевого поглощения и распространения света в моноклинном дифосфиде цинка. Неорган. матер., т. 42, в. 3, с. 221-225 (2006).
• Кошелев О.Г., Гусева Е.А. Метод определения распределения фотопроводимости по толщине высокоомных полупроводниковых пластин. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия, в. 3, с. 69-73 (2007).
• Кошелев О.Г., Гусева Е.А. О применении интерференции миллиметровых и субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по толщине полупроводниковых пластин. Изв. РАН, сер. физ., т. 72, в. 1, с. 120-124 (2008).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В. Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий. Изв. ВУЗов. Материалы электронн. техн., в. 1, с. 52 (2008).
• Морозова В.А., Кошелев О.Г., Веретенкин Е.П., Гаврин В.Н., Козлова Ю.П. Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах на основе нелегированного GaAs. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия, т. 17, в. 2, с. 69-72 (2009).
• Маренкин С.Ф., Морозова В.А., Кошелев О.Г. Структурные дефекты и параметры зонной структуры монокристаллов CdAs2, ZnAs2, Cd1-xZnxAs2, Zn1-xCdxAs2. Неорганические материалы, т. 46, в. 9, с. 1114-1120 (2010).
• Koshelev O.G., Morozova V.A. Effect of Coatings of Silicon Solar Cells on their Reflectance Spectra and on the Measured Values of Recombination Parameters. Physics of Wave Phenomena, Vol. 19, No. 2, р. 86-88 (2011).
  
• Кошелев О.Г., Унтила Г.Г. Определение времени релаксации СВЧ фотопроводимости вблизи p-n перехода в базе двусторонних кремниевых солнечных элементов. Изв. РАН, сер. физическая, т. 76, в. 12, с. 1468-1470 (2012).
• Кошелев О.Г., Унтила Г.Г., Михин А.А.. Особенности СВЧ фотопроводимости двусторонних кремниевых солнечных элементов p+-n-n+ типа. Известия РАН. Серия физическая, т. 78, в. 12, с. 1559-1563 (2014).
• Koshelev O.G., Untila G.G. Microwave photoconductivity of bifacial silicon solar cells of p+nn+ type under laser irradiation. Physics of Wave Phenomena, v. 24, N 3, p. 214-218 (2016).
• Кошелев О.Г. О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p+-n(p)-n+-типа из-за токов по слоям p+- и n+-типа. Известия РАН. Серия физическая, т. 81, в. 1, с. 41-44 (2017).
• Кошелев О.Г., Васильев Н.Г. О локальном определении скоростей рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на тыльной стороне пластин кремния с p-n переходами бесконтактным методом. Ученые записки физического факультета Московского Университета, в. 6, с. 1760704-1-1760704-4 (2017).
• Кошелев О.Г., Васильев Н.Г. Определение фотоэлектрических параметров базовой области кремниевых структур p+-n(p)-n+-типа бесконтактным методом по отношениям коэффициентов собирания при двух длинах волн. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, т. 20, в. 1, с. 60-66 (2017).
• Кошелев О.Г., Васильев Н.Г. Бесконтактное определение скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на границе p-p+ (n-n+) в кремниевых n+-p-p+ (p+-n-n+) структурах компенсационным методом. Извеcтия РАН. Серия физическая, т. 82, в. 1, с. 109-113 (2018).
• Кошелев О.Г., Васильев Н.Г., Региневич М.А., Шнайдштейн И.В. Бесконтактное обнаружение неоднородностей фоточувствительности гетероструктур типа HIT на основе a-Si:H/c-Si. Известия РАН. Серия физическая, т. 82, в. 11, с. 1558-1561 (2018).

Координаты: