Программа курса "Физика аморфных гидрированных полупроводников"

1. Введение. Аморфные гидрированные полупроводники - перспективные тонкопленочные материалы для создания приборов преобразования энергии и регистрации информации.

2. Технология получения и легирования. Химическое осаждение из газовой фазы. Распыление. Разложение реагентов в плазме тлеющего разряда.

3. Структура. Элементы ближнего порядка. Экспериментальные методы исследования ближнего порядка. Структурные модели (модель Полка, микрокристаллические модели). Морфология пленок. Собственные дефекты и их зарядовые состояния (стандартная модель, модель резервуара дефектов). Конфигурация связей водорода. Методы определения концентрации водорода.

4. Плотность состояний в щели подвижности. Модели плотности состояний. Экспериментальные методы определения распределения плотности состояния (метод эффекта поля, релаксационная спектроскопия глубоких уровней, емкостные методики). Влияние состояний на границе раздела пленка/подложка на результаты электрофизических измерений.

5. Электрофизические свойства. Статическая электропроводность (механизмы переноса носителей). Влияние температуры и легирования на проводимость.

6. Дрейфовая подвижность носителей. Введение понятия дрейфовой подвижности. Измерение дрейфовой подвижности. Нормальный и дисперсионный перенос. Экспериментальные данные для аморфного гидрированного кремния.

7. Оптическое поглощение. Спектральная зависимость коэффициента поглощения. Экспериментальные данные для аморфного гидрированного кремния. Методы измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения в тонких пленках.

8. Фотоэлектрические свойства. Модели безизлучательной рекомбинации (модель Роуза, рекомбинация на глубоких состояниях, влияние легирования и температуры). Экспериментальные данные для аморфного гидрированного кремния.

9. Метастабильные состояния. Модели возникновения метастабильного состояния, стимулированного освещением пленок.

Литература

1. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1, 2. - М., Мир, 1982.
2. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Под. ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. Т. 1, 2. - М., Мир, 1987.
3. Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродски. -М., Мир, 1982.
4. Semiconductors and semimetals. Ed. by R.K. Willardson and A.C. Beer. V. 21. Hydrogenated amorphous silicon. Part A, B, C. - Academic Press Inc. 1984.
5. Advances in disorded semiconductors. Ed. by H. Fritzsche. V. 1. Amorphous silicon and related materials. V. A, B. - World Scientific Publishing Company. 1988.


Другие курсы, читаемые на кафедре