1. Введение. Определение понятия, классификация неупорядоченных сред. Обзор истории и методов исследования. Сводка опытных данных по электрическим и оптическим электронным свойствам. Частотная зависимость коэффициента поглощения света. Температурная зависимость проводимости. Энергетические зоны и локальные уровни, оценка их числа по магнитным и электрическим измерениям.
2. Атомная структура. Методы исследования. Ближний порядок в отсутствие дальнего. Случайная сетка атомов. Роль радиуса действия случайных сил. Принцип насыщения валентных связей. Идеальное стекло. Роль условий приготовления. Неизбежность дефектов. Проблемы легирования.
3. Сильно легированные полупроводники. Физические особенности сильно легированных полупроводников. Роль экранирования. Плотность состояний электронов, ее хвост, способы расчета. Метод оптимальной флуктуации. Самосогласованное определение формы примесной зоны и длины экранирования.
4. Энергетический спектр электронов. Качественная картина спектра, роль перекрытия полей. Материал со случайным полем, вероятностный подход. Проблема локализации, роль размерности. Флуктуационные уровни. Переходы металл--диэлектрик по Андерсону и по Мотту. Роль межэлектронного взаимодействия. Материалы с отрицательной энергией корреляции.
5. Кинетические и оптические свойства. Активационное поведение электропроводности. Прыжковая проводимость. Представление о теории протекания. Прыжковый перенос в переменном поле. Расчет оптических свойств в кулоновском случайном поле, при плавном искривлении зон и для полей малого радиуса корреляции. Представление о мезоскопических эффектах.