Виктор Леопольдович Бонч-Бруевич (1923-1987)

В.Л. Бонч-Бруевич поступил на физический факультет МГУ в 1941 г., 13 октября 1941 г. ушел добровольцем в Красную Армию и участвовал в боевых действиях под Москвой в составе Коммунистического батальона 3-го полка московских рабочих Западного фронта. После ранения в конце января 1942 г. был демобилизован и с февраля 1942 г. по июнь 1943 г. учился в МГУ; затем снова призван в армию и до 1944 г. участвовал в боевых действиях красноармейцем 52-го мотоциклетного полка 4-го Украинского фронта, служил в десантных войсках. В.Л. Бонч-Бруевич был награжден Орденом Великой Отечественной войны I степени и четырьмя медалями.

В 1944 г. он продолжил учебу на физическом факультете МГУ, который окончил в 1947 г. по специальности "теоретическая физика". По окончании МГУ работал ассистентом кафедры физики сельскохозяйственной академии им. Тимирязева. В апреле 1948 г. поступил в аспирантуру Института Физической химии АН СССР, которую окончил в 1951 г. под руководством Ф.Ф. Волькенштейна и защитил кандидатскую диссертацию по теме "Электронные состояния атомов и молекул, адсорбированных на поверхности кристалла". С 1951 г. по 1955 г. работал старшим научным сотрудником, доцентом кафедры физики Московского Электротехнического Института Связи.

В 1955 г. он перешел на работу в Московский Университет, где занимал последовательно должности старшего научного сотрудника, доцента и профессора кафедры физики полупроводников физического факультета. В 1959 г. В.Л. Бонч-Бруевич защитил докторскую диссертацию по теме "Исследования по многоэлектронной теории полупроводников". В 1962 г. ему было присвоено ученое звание профессора.

В.Л. Бонч-Бруевич - крупный физик-теоретик. Ему принадлежат классические результаты по многочастичному обоснованию зонной теории кристаллов с помощью метода функций Грина. Широко известны его работы по теории рекомбинации в полупроводниках. Им выполнены пионерские исследования по теории сильно легированных полупроводников, которые легли в основу современного понимания особенностей электронного спектра таких и оптических свойств сильно легированных полупроводников.

Широкую известность получил выполненный В.Л. Бонч-Бруевичем цикл работ по исследованию доменной электрической неустойчивости в полупроводниках. За эти работы он был удостоен в 1980 г. (совместно с И.А. Куровой) Ломоносовской премии.

В.Л. Бонч-Бруевич был прекрасным лектором. Он создал научную школу, многие его ученики стали известными учеными. За заслуги в области международного сотрудничества В.Л. Бонч-Бруевичу в 1979 г. было присвоено звание Почетного Доктора естественных наук Берлинского университета им. Гумбольдта. Он был членом редколлегий ряда советских и зарубежных научных журналов, в том числе "Вестник Московского университета", "Известия Вузов СССР, Физика", "Physica status solidi". Под его руководством была создана уникальная библиотека переводов книг лучших зарубежных ученых по физике твердого тела.

В.Л. Бонч-Бруевичу принадлежит более 150 опубликованных работ, в том числе учебники и монографии: "Физика полупроводников" (1977 г., 2-е изд. 1990 г., в соавторстве с С.Г. Калашниковым); "Метод функций Грина в статистической механике" (с С.В. Тябликовым, 1961 г.), "Сборник задач по физике полупроводников" (1968 г., 2-е изд. 1987 г., в соавторстве), "Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках" (совместно с И.П. Звягиным и А.Г. Мироновым, 1972 г.), "Электронная теория неупорядоченных полупроводников" (1981 г., в соавторстве с И.П. Звягиным и др.).