Электронные состояния примесей и дефектов
Зонная структура электронного энергетического спектра идеального полупроводника. Электронные состояния примесей и дефектов. Состояния мелких (водородоподобных) доноров в Si и Ge. Роль химической природы примеси (химический сдвиг). Долинное вырождение.
Состояния мелких акцепторов при учете сложной структуры валентной зоны (кристаллы со структурами типа алмаза и цинковой обманки).
Глубокие примесные уровни. Метод квантового дефекта. Модель потенциала нулевого радиуса. Резонансные уровни.
Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях для многозарядных центров. Статистика заполнения примесных состояний при учете межэлектронного взаимодействия. Модель Хаббарда.
Неупорядоченные полупроводники
Случайное поле, мелкомасштабные и крупномасштабные флуктуации потенциальной энергии. Модификация электронного энергетического спектра при легировании. Сильно легированные полупроводники. Плотность электронных состояний в сильно легированных полупроводниках. Андерсоновская локализация электронных состояний. Порог локализации. Влияние размерности системы на локализацию электронных состояний.
Модель плавного потенциала. Спектры оптического поглощения в некристаллических материалах. "Хвосты" плотности состояний и "хвосты" коэффициента поглощения. Правило Урбаха.
Порог протекания в случайном потенциальном рельефе. Щель подвижности. Электрическая и оптическая ширины запрещенной зоны. Перенос носителей заряда в области локализованных состояний. Прыжковая проводимость. Закон Мотта и закон Шкловского-Эфроса.
Электронные процессы в гранулированных структурах. Особенности температурной зависимости проводимости гранулированных структур.
Горячие электроны и электрические неустойчивости в полупроводниках
Механизмы релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках. Взаимодействие носителей заряда с акустическими и оптическими фононами и с примесями.
Горячие электроны. Отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП). Механизмы ОДП. Дрейфовая и рекомбинационная нелинейности вольтамперных характеристик (ВАХ).
Электрические неустойчивости в полупроводниках с S-образными и N-образными ВАХ. Колебания тока, связанные с ОДП. Статические и движущиеся электрические домены и токовые шнуры.
1. Б.И.Шкловский, А.Л.Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
2. А.Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.
3. В.Л.Бонч-Бруевич, И.П.Звягин, А.Г.Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972.
4. А.Л.Эфрос. Физика и геометрия беспорядка. М.: Наука, 1982.