Проведены рентгеновские исследования искажений ГЦК решетки в ряде твердых растворов полупроводников группы A4B6, в которых ожидается появление низкотемпературных фазовых переходов (ФП). В образцах Pb0.8Sn0.2Te и PbTe0.95S0.05 не обнаружено никаких искажений решетки при T>100 K.
Показано, что введение примесей In и S в твердый раствор Pb1-xGexTe понижает температуру Tc сегнетоэлектрического ФП Oh->C3v. Изучено влияние замещения Te->Se на ФП в Pb1-xGexTe: в Pb0.92Ge0.08Te1-ySey обнаружено немонотонное изменение температуры Tc и температурного коэффициента угла ромбоэдрического искажения d(alpha)/dT с составом y. Эти явления объяснены влиянием случайных деформационных и квазиэлектрических полей на упорядочение дипольных моментов нецентральных атомов Ge.Ключевые слова: полупроводниковые твердые растворы, теллурид свинца олова, теллурид сульфид свинца, теллурид свинца германия, теллурид селенид свинца германия, индий, сера, температура Кюри