Научные публикации кафедры физики полупроводников за 1999 год

Статьи

• С.А. Гаврилов, В.В. Гусев, В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Е.А. Муляров, А.Н. Сырников, И.В. Яминский. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS) - диэлектрик. Письма в ЖЭТФ, т. 70, N 3, с.216-220 (1999).
• E.A. Zhukov, Y. Masumoto, E.A. Muljarov, S.G. Romanov. Pump-probe studies of photoluminescence of InP quantum wires embedded in dielectric matrix. Sol. State Commun., v. 112, N 10, p. 575-580 (1999).
• А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова. К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 5, с. 549-552 (1999).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, S.A. Gavrilov. Investigation of properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe. Journal of Crystal Growth, v. 197, p. 702-706 (1999).
• А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 2, с. 198-205 (1999).
• И.П. Звягин, М.А. Ормонт. Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых сверхрешетках. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 1, с. 79-82 (1999).
• И.П. Звягин. Вертикальная прыжковая проводимость через виртуальные состояния в сверхрешетках с контролируемым беспорядком. Письма в ЖЭТФ, т. 69, N 12, с. 932-937 (1999).
• А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Исследование локального окружения атомов свинца и селена в твердом растворе PbTe1-xSex методом EXAFS. Физ. тверд. тела, т. 41, в. 8, с. 1394-1402 (1999).
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. О взаимодействии микроволн со структурой полупроводниковая пластина - зеркало. Вестник МГУ. Сер.3. Физика. Астрономия, т. 40, N 1, с. 65-67 (1999).
• С.Ф. Маренкин, В.А. Морозова. Синтез и оптические свойства монокристаллов и пленок диарсенидов цинка и кадмия. Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 35, N 10, с. 1190-1202 (1999).
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев. Особенности спектров пропускания ZnAs2 в области примесного поглощения. Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 35, N 7, с. 788-791 (1999).
• S.F. Marenkin, V.A. Morozova, O.G. Koshelev, G. Biskubski. Lattice Defects in Undoped CdAs2 Monocrystals. Phys. Status Solidi B, v. 210, p. 569-572 (1998).
• А.Г. Казанский, С.М. Петрушко, Н.В. Рыжкова. Фотопроводимость a-Si:H, легированного методом ионной имплантации. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 3, с. 332-335 (1999).
• И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин. Аномальная кинетика эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором. Вестник МГУ, сер. 3, т. 40, N 1, с. 67-69 (1999).
• А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Изменения люминесцентных и электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 2, с. 242-249 (1999).
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Electroluminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. MRS Intern. Journ. of Nitride Semic. Res., http:\\nsr.mij.mrs.org\4S1\G6.29.
• В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 4, с. 445-450 (1999).
• А.Э. Юнович. Ключ к синему лучу или о светодиодах и лазерах, голубых и зеленых. Химия и Жизнь, N 5-6, с. 46-48 (1999).
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Spectra and quantum efficiency of light-emitting diodes based on GaN heterostructures with quantum wells. Phys. Status Solidi A, v. 176, N 1, p. 125-131 (1999).
• V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, K.J. Ebeling, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, A. Link, W. Limmer, R. Sauer. Ohmic Heating of LEDs During Operation: Determination of the Junction Temperature and its Influence on Device Performance. Phys. Status Solidi A, v. 176, N 1, p. 783-786 (1999).
• Г.А. Александрова, Ю.А. Голованов, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Сравнительное исследование люминесцентных свойств сверхтонких структур на основе GaN, выращенных эпитаксией из металло-органических соединений при пониженном и атмосферном давлении. Материалы электронной техники, N 1, c. 56-60 (1999).
• Г.А. Александрова, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Излучательные переходы в эпитаксиальных структурах твердых растворов InxGa1-xN, полученных эпитаксией из металло-органических соединений. Материалы электронной техники, N 3, c. 52-56 (1999).
• И.Н. Один, М.В. Чукичев, В.В. Гринько. Люминесцентные свойства кристаллов сульфида и селенида кремния, легированных бором. Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 35, N 11, с. 1302-1303 (1999).
• Р.М. Минаева, А.В. Сперанский, Б.Л. Егоров, Л.В. Бершов, М.В. Чукичев. Дефекты в карбонадо: аналог радиационного центра R1 в алмазе. ДАН, т. 367, N 2, с. 238-240 (1999).
• Yu.A. Litvin, J.T. Chudinovskikh, G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukichev, V.S. Vavilov. Diamonds of new alkaline carbonate-graphite HP Synthesis: SEM morphology, CCL-SEM and CL spectroscopy studies. Diamond and Related Materials, v. 8, p. 267-272 (1999).

Тезисы докладов на конференциях

• S. Gavrilov, V.S. Dneprovskii, V.V. Gusev, E.A. Zhukov, L.I. Belogorokhova, A.I. Belogorokhov. Electrodeposition of CdS nanocrystals into pores of anodic alumina. Mat. of the 3rd International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, Antalya, Turkey, September 1999.
• В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Н.Ю. Маркова, Е.А. Муляров, К.А. Черноуцан, О.А. Шалыгина. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP) - диэлектрик. Труды IV Российской конференции по физике полупроводников, Вт С-47, 1999.
• K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, E. Muljarov, O. Shaligina, E. Zhukov. Optical properties of excitons in semiconductor-dielectric quantum wires. Proc. 6th Int. Conf. "Optics of Excitons in Confined Systems", Ascona, Switzerland, Mo P10, 1999.
• I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical Screening In Doped Semiconductor Superlattices with Intentional Disorder. In: The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel. World Scientific, Singapore, 1999.
• A.G. Andreev, G. Biskupski, S.V. Egorov, A.G. Zabrodskii, I.P. Zvyagin. Low-Temperature Thermopower of the Doped p-Ge. In: The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel. World Scientific, Singapore, 1999.
• I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Electronic Structure and Vertical Transport in Doped Intentionally Disordered Superlattices. Междунар. зимняя школа по физике полупроводников. Научн. программа и тез. докл. (С.-Петербург-Зеленогорск, 27 февр.-2 марта 1999 г.), с. 29-32.
• I.P. Zvyagin. Virtual-Tunneling-Assisted Vertical Conduction in Superlattices with Intentional Disorder. 7th Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, 14-18 June, 1999. Ed. Zh. Alferov and L. Esaki. Ioffe Institute, St.Petersburg, p. 287-290, 1999.
• И.П. Звягин. Особенности прыжковой проводимости в сверхрешетках с контролируемым беспорядком. В сб.: Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния. М. Изд. РХТУ, с. 49-51, 1999.
• И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт. Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P). В сб.: Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния. М.: Изд. РХТУ, с. 51-52, 1999.
• I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices. In: 8th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena. Murcia, Spain, Abstracts, p. 37-38, 1999.
• S.V. Demishev, A.A. Pronin, M.V. Kondrin, N.E. Sluchanko, N.A. Samarin, T.V. Ischenko, I.P. Zvyagin, G. Biskupski. DC and AC Hopping Transport in Bulk Amorphous Gallium Antimonide. In: 8th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena. Murcia, Spain, Abstracts, p. 9, 1999.
• М.А. Ормонт, И.П. Звягин, К.Е. Борисов. Вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком. В сб.: Всеросс. конф. по физ. полупроводн. "Полупроводники-99", Новосибирск, тез. докл., с. 62, 1999.
• К.Е. Борисов. Особенности электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках с контролируемым беспорядком в режиме прыжкового переноса. В сб.: Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой электронике. С.-Петербург, ноябрь-декабрь, тез. докл., с. 69, 1999.
• M.A. Terekhin, V.N. Makhov, A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro, K.C. Cheung, D.A. Shaw. Effect of local distortions on the dynamics of (Ba,5p) core electronic excitations. The 5th Int. Conf. on Inorganic Scintillators and Their Applications. Moscow, Book of Abstracts, p. 81, 1999.
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Бесконтактный способ определения неоднородностей времени релаксации неравновесных носителей в полупроводниковых пластинах. Тез. докл. XI Международной зимней школы по СВЧ электронике и радиофизике. (Саратов, 2-6 марта 1999 г.), с. 39.
• О.Г. Кошелев. О взаимодействии микроволн со структурой полупроводниковая пластина - зеркало. Тез. докл. XI Международной зимней школы по СВЧ электронике и радиофизике. (Саратов, 2-6 марта 1999 г.), с. 38.
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин. VII Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" (Красновидово, Моск. обл., 24-30 мая 1999 г.), с. 133-135.
• T.J. Bowles, V.K. Eremin, V.N. Gavrin, Y.P. Kozlova, O.G. Koshelev, A.V. Markov, V.A. Morozova, A.Y. Polykov, E.M. Verbitskaya, E.M. Veretenkin. Evaluation of the EL2 concentration in GaAs crystals grown from melts with variable composition. VII Российская конференция "GaAs-99" (Томск, 21-23 октября 1999 г.), тез. докладов, с. 20-21.
• И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H. Труды международной конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1999), с. 57.
• А.Э. Юнович. Тез. докл. 3-го Всеросс. Совещ. по полупроводн. нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), введение, с. 2-3.
• А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN. Тез. докл. 3-го Всеросс. Совещ. по полупроводн. нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), тез. 5.1, с. 62-63.
• V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, K.J. Ebeling, A. Link, W. Limmer, R. Sauer, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Повышение температуры светодиодов на основе нитрида галлия при больших токах и проблемы их деградации. Тез. докл. 3-го Всеросс. Сов. по нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), тез. С.5.2, с. 64-65.
• С.С. Мамакин, В.Е. Кудряшов, А.Э. Юнович. Влияние примесей в сапфировой подложке на спектры излучения светодиодов на основе гетероструктур из GaN. Тез. докл. 3-го Всерос. Сов. по нитридам (Москва, МГУ, июнь 1999 г.), тез. С.5.5., с. 68-69.
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Spectra and quantum efficiency of light-emitting diodes based on GaN heterostructures with quantum wells. The 3rd Int. Conf. on Nitride Semicond., ICNS3, Montpelier, France, Abstr. Book, We_P026, p.103 (July 1999).
• V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, K.J. Ebeling, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, A. Link, W. Limmer, R. Sauer. Ohmic Heating of LEDs During Operation: Determination of the Junction Temperature and its Influence on Device Performance. Abstracts of The Third Intern. Conf. on Nitride Semicond. (ICNS 3), Montpelier, France, We_PO67, p.118-119, July 1999.
• V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. Influence of sapphire substrate on the emission spectra of GaN-based light-emitting diodes. E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, Symposium P, Book of abstracts, p. , June 1999.
• A.E. Yunovich. Problems of research and development of GaN-based devices. Proceedings of the IV International Symposium on Diamond films and related materials (Kharkov, Sept. 1999), p. 253-254.
• А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. Механизмы рекомбинации и квантовый выход излучения светодиодов на основе 2D-гетероструктур из нитрида галлия. IV Росс. Конф. по физ. полупроводников (Новосибирск, октябрь 1999), тез. докл., с. 324.
• В.В. Лундин, А.С. Усиков, Б.В. Пушный, А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин. Спектры люминесценции светодиодов на основе GaN p-i-n структур. Всеросс. Конф. "Микро- и нано- электроника -- 98" (Звенигород, апрель 1999), тез. докл., т. 2, Р 2-30.
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Dependence of aging on the inhomogeneities in InGaN/AlGaN/GaN Light Emitting Diodes. MRS Fall Meeting 1999, Boston, Abstr. W11.25, Dec. 1999.
• A.N. Turkin, V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. A model of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. Intern. Confer. on the Phys. of Semiconductors (ICPS-24), Jerusalem, B-0662, 1998.
• М.В. Чукичев, И.Н. Один, А.Ю. Петровский. Люминесцентные свойства кристаллов CdSe, легированных Ge, Sn, B, Sb, Bi. IV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-99" (Новосибирск, 1999). Тезисы докладов, с. 86.
• Р.Р. Резванов, М.В. Чукичев, Т.П. Суркова, В.В. Гириат. Катодолюминесценция твердых растворов на основе селенида цинка: роль примесей 3d переходных металлов. IV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-99" (Новосибирск, 1999). Тез. докл., с. 333.
• M.V. Chukichev, I.N. Odin, A.U. Petrovzky, V.F. Kozlovsky. Deep levels in CdSe (Sb or Bi) crystals. Third International School-Conference "Physical properties in material science of semiconductors. Chernivtsi, Ukraine, 7-11 Sept. Abstract Booklet, p. 29 (1999).
• I.N. Odin, M.V. Chukichev, R.R. Rezvanov, V.N. Demin, E.V. Safronov. Luminescent properties of Lead Selenide-Iodide. Third International School-Conference "Physical properties in material science of semiconductors". Chernivtsi, Ukraine, 7-11 Sept. Abstract Booklet, p. 130 (1999).
• M.V. Chukichev, V.P. Chegnov, I.N. Odin. Cathodoluminescence of CdS1-xTex Crystals (0<x<0,08). Third International School-Conference "Physical properties in material science of semiconductors". Chernivtsi, Ukraine, 7-11 Sept. Abstract Booklet, p. 143 (1999).