Научные публикации кафедры физики полупроводников за 1998 год

Монографии

• А.Г. Казанский. Аморфные гидрированные полупроводники в электронике накануне ХХI века. В сб.: Фундаментальные проблемы российской металлургии на пороге ХХI века. В 4-х томах. т. 4, с. 227-262 (1998).
  

Статьи

• В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Е.А. Муляров, С.Г. Тиходеев. Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице. ЖЭТФ, т. 114, N 2(8), с. 700-710 (1998).
• V. Dneprovskii, E. Zhukov. Strong Dynamic Optical Nonlinearities of Semiconductor Quantum Wires. Phys. Status Solidi B, v. 206, p. 469-476 (1998).
• V. Dneprovskii, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires. Superlattices and Microstructures, v. 23, N 3/4, (1998).
• I.P. Zvyagin. Hopping thermopower in the regime of ballistic phonons. Phys. Status Solidi B, v. 205, N 1, 391-394 (1998).
• A.G. Andreev, A.G. Zabrodskii, S.V. Egorov, I.P. Zvyagin. Thermopower of neutron transmutation-doped Ge:Ga in the hopping region. Phys. Status Solidi B, v. 205, N 1, p. 381-384 (1998).
• И.П. Звягин. Электронные сверхструктуры в легированных сверхрешетках. ЖЭТФ, т. 114, N 3(9), с. 1089-1100 (1998).
• А.Г. Казанский, Э.Ю. Ларина. Релаксация созданного освещением метастабильного a-Si:H p-типа, легированного бором. Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 1, с. 117-120 (1998).
• A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, N.N. Ormont, I.P. Zvyagin. Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H films. J. Non-Cryst. Solids, v. 227-230, p. 306-310 (1998).
• А.Г. Казанский. Аморфный гидрированный кремний - материал электронной техники больших площадей. Материалы электронной техники, т. 4, с. 8-12 (1998).
• И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. О природе немонотонной кинетики изменения проводимости пленок a-Si:H под влиянием освещения при повышенной температуре. Вестник МГУ, сер. 3., т. 39, N 2, с. 73-74 (1998).
• И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, О.А. Голикова, М.М. Казанин. Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах. Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 10, с. 1269-1271 (1998).
• В.А. Морозова, В.С. Вавилов, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, М.В. Чукичев. Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка. Физ. тверд. тела, т. 40, в. 5, с. 877-878 (1998).
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, А.Г. Миронов. Особенности распространения света в ZnAs2 . Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия, т. 39, N 6, с. 62-63 (1998).
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Контроль неоднородностей проводимости вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин. Изв. РАН, т. 62, N 12, с. 2422-2427 (1998).
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro, G. van Dorssen. EXAFS studies of the local structure of In in PbTe, SnTe and GeTe. Daresbury Laboratory Scientific Report 1996-97, p. 248-249 (1998).
• S.T. Chudinovskikh, J.A. Litvin, G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukichev, V.S. Vavilov. Peculiarities of Diamonds Formed in Alkaline Carbonate-Carbon Melts at Pressures of 8-10 GPa: Scanning Electron Microscopy and Cathodoluminescence Date. Scanning, v. 20, р. 380-388 (1998).
• A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin. Aging of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., v. 482, p. 1041-1047 (1998).
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. The Emission Properties of Light Emitting Diodes utilising Multiple Quantum Wells InGaN/AlGaN/GaN. MRS Intern. Journ.of Nitride Semic. Res., 3/44 (1998).
• А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Электролюминесценция гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ионизационном пробое. Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 1, c. 63-66 (1998).
• И.П. Ревокатова, А.Э. Юнович. Влияние микровключений на люминесценцию эпитаксиальных пленок - сравнение PbSe и PbTe с нитридом галлия. Материаловедение, N 8, с. 20-24 (1998).
• А.Э. Юнович. Дивакансии азота - возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия. Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 10, с. 1181-1183 (1998).
• А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Взаимосвязь изменений распределения концентрации заряженных центров и характеристик светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительном протекании прямого тока. Изв. ВУЗов, Матер. Электрон. Техн., N 3, с. 60-63 (1998).
• F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, A.E. Yunovich. Aging Mechanisms of InGaN/AlGaN/GaN Light Emitting Diodes Operating at high currents. MRS Intern. Journ. of Nitride Semic. Res., 3/53 (1998).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, S. Gavrilov. Optical characterisation of porous silicon embedded with CdSe nanoparticles. Appl. Phys. Lett., v. 73, N 19, p. 2766-2768 (1998).
• A.I. Belogorokhov, A.G. Belov, V.M. Lakeenkov, L.I. Belogorokhova. Optical and photoelectric properties of CdxHg1-xTe solid solutions (0.35<x<0.40). Appl. Phys. Lett., v. 72, N 5, p. 516-518 (1998).
• А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова. Оптические исследования решеточных колебаний в кристаллах Cd1-xZnxTe (0<x<0.2) в квазилокальном приближении. Автометрия СО РАН, т. 3, с. 69-76 (1998).
• A.I. Belogorokhov, V.M. Lakeenkov, L.I. Belogorokhova. Correlation between microinhomogeneities of composition and additional modes in optical spectra of solid solutions. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, v. 4, p. 73-80 (1998).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, S. Gavrilov. Investigation of properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe. J. Crystal Growth, p. 188 (1998).
• И.А. Курова, Л.И. Белогорохова, А.И. Белогорохов. Особенности оптических спектров аморфного гидрированного кремния, легированного бором, в инфракрасной области спектра. Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 5, с. 631-633 (1998).
• А.И. Белогорохов, В.М. Лакеенков, Л.И. Белогорохова. Процессы фотостимулированного образования двойных поляронов в CdTe и их проявление в инфракрасной области спектра. Автометрия СО РАН, т. 5, (1998).
• А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 2, с. 198-204 (1999).
• А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова. К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 5, с. 549-552 (1999).

Тезисы докладов и публикации в трудах конференций

• T. Dneprovskaya, V. Dneprovskii, E. Zhukov. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires. Proc. of the 4th Int. Symp. on Quantum Confinement, The Electrochemical Society, Inc., Vol. 97-11, p. 254 (1998).
• V. Dneprovskii, T. Kobayashi, E. Mulyarov, S. Tikhodeev, E. Zhukov. Excitons in semiconductor quantum wires crystallized in transparent dielectric matrix. 6th Int. Symp. Nanostructures: physics and technology (St.Petersburg, Russia, June 22-26, 1998), p. 359.
• V. Dneprovskii, T. Kobayashi, E. Mulyarov, S. Tikhodeev, E. Zhukov. Excitons in semiconductor quantum wires crystallized in transparent dielectric matrix. The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Jerusalem, 1998). Abstract TU-P113.
• V. Dneprovskii, Y. Masumoto, E. Zhukov. Optical properties of excitons in semiconductor quantum wires. 194th Meeting of Electrochemical Society, A Joint Symp. Between Fifth Int. Symp. On Quantum Confinement - Third Int. Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter (Boston, 1998). Abstr., p. 1236.
• I.P. Zvyagin. Electronic Superstructures in Doped Semiconductor Superlattices. 6th Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 22-26, 1998. Ed. Zh. Alferov and L. Esaki. Ioffe Institute, St.Petersburg, p. 50-53 (1998).
• A.G. Andreev, G. Biskupski, S.V. Egorov, A.G. Zabrodskii, I.P. Zvyagin. Low-Temperature Thermopower of the Doped p-Ge. The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel). Abstracts, p. Mo-P9 (1998).
• I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical Screening In Doped Semiconductor Superlattices with Intentional Disorder. The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel). Abstracts, p. Tu-P87 (1998).
• I.P. Zvyagin. Electronic Superstructures in Doped Semiconductor Superlattices. The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel). Abstracts, p. Tu-P100 (1998).
• И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Э.Ю. Ларина, Н.Н. Ормонт. Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах. Тез. докл. Всероссийского симпозиума "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (С.-Петербург, 1998), с. 19.
• А.Г. Казанский, С.М. Петрушко, Н.В. Рыжкова. Фотопроводимость пленок а-Si:H, легированных методом ионной имплантации. Тез. докл. Всероссийского симпозиума "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (С.-Петербург, 1998), с. 43.
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Контроль неоднородностей проводимости вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин. Труды VI Всероссийской школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах" (Красновидово, Моск. обл., май 1998 г.), с. 114-115.
• S.F. Marenkin, V.A. Morozova, O.G. Koshelev, G. Biskupski. Lattice defects in n-doped CdAs2 monocrystals. Int. Conf. SLCS-98 (Montpelier, France, July 1998). P1-18.
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, В.П. Сапыгин, Г.С. Юрьев, В.В. Пташинский, В.В. Астахов. Синтез и оптические свойства тонких пленок ZnAs2. Международная конф. "Рост и физика кристаллов" (Москва, МИСИС, 17-19 ноября 1998), с. 105.
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. EXAFS studies of the influence of impurities on the ferroelectric phase transition in GeTe. Abstracts of the 6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity (Noda, Japan, 1998), p. 16.
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. EXAFS study of the PbTeSe solid solution. Abstracts of the 10th Int. Conf. XAFS X (Chicago, 1998), M5, 3-28.
• I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, A.I. Lebedev, A.V. Michurin, I.H. Munro. EXAFS studies of InTe-based narrow-gap semiconductors. Abstracts of the 10th Int. Conf. XAFS X (Chicago, 1998), R5, 4-38.
• J.A. Litvin, S.T. Chudinovskikh, G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukichev, V.S. Vavilov. Diamond of new alkaline carbonate-grafit HP-sinteses: SEM-morphology, CCS-SEM and CS-spectroscopy studies. Abstract Book, DIAMOND-1998, European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Nitrites and Silicon Carbide. 13-18 Sept. 1998. Grete. Greece; р.9, 204.
• Р.М. Минеева, А.В. Сперанский, Б.Л. Егоров, Л.В. Бершов, М.В. Чукичев. Спектроскопические особенности поликристаллических алмазов. Тезисы докладов годичной сессии Всероссийского минералогического общества 1-3 декабря 1998 г. Москва, с. 59-60.
• S.V. Titkov, S.V. Bershov, E. Scandale, G.V. Saparin, M.V. Chukichev. Nickel Structural Impurity in Natural Diamond. Extended Abstracts of the 7th International Kimberlide Conference, Cape Town, 1998, р. 911-913.
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, K.G. Zolina, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Mechanisms of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN heterojunctions with quantum wells. Proc. of the 2nd Symp. on III-V Nitride Mats. and Processes, Vol. 97-34 of Electrochem. Soc., Pennington, NJ, p. 83-102 (1998).
• A.E. Yunovich. A model of the "yellow band" defect complex in GaN. Proc. of the 2nd Symposium on III-V Nitride Materials and Processes, Vol. 97-34 of Electrochem. Soc., Pennington, NJ, p. 258-260 (1998).
• В.Е. Кудряшов, А.Э. Юнович. Анализ спектров электролюминесценции гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. Тез. докл. 1-й Городской студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (С.-Петербург, ноябрь 1997), с. 20-21.
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Electroluminescent Properties of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes with Multiple Quantum Wells. The Third European GaN Workshop (EGW-3), Book of Abstracts, Warsaw, June 22-24, 1998; p. 40.
• F.I. Manyakhin, A.E. Yunovich. Aging Mechanisms of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes During a Work at High Currents. The Third European GaN Workshop (EGW-3), Book of Abstracts, Warsaw, June 22-24, 1998; p. 78.
• A.N. Turkin, V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. A model of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. Int. Conf. on Phys. of Semiconductors (ICPS-24, Jerusalem, Aug. 1998). Abstracts, Vol. 1, Mo-P184.
• А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, Ф.И. Маняхин. Электролюминесценция светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Международная Конференция "Оптика полупроводников" (Ульяновск, июнь 1998). Тезисы докладов, с. 32.
• A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. A model of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. MRS Fall Meeting 1998 (Boston, Dec. 1998). Abstr. G6.29.
• А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин. Электролюминесценция светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Материалы 2-го Всероссийского Совещания "Нитриды галлия, алюминия и индия: структуры и приборы" (С.-Петербург, июнь 1998 г.), тез. ND01.
• А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Изменения люминесцентных и электрических свойств светодиодов из InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе. Материалы 2-го Всероссийского Совещания "Нитриды галлия, алюминия и индия: структуры и приборы" (С.-Петербург, июнь 1998 г.), тез. ND02.
• С.С. Мамакин, А.Э. Юнович. Спектры люминесценции светодиодов на основе структур. Тез. докл. 2-й Городской студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (С.-Петербург, декабрь 1998), тезисы ОКЯ10.
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, D.R. Khokhlov. Nonmonotonous behavior of temperature-dependence of plasma frequency and effect of a local instability of the PbTe:In,Ga lattice. MRS Symposium Proceedings Series, V. 484, 383-388. (Ed. by S. Sivananthan, M.O. Manasreh, R.H. Miles, D.L. McDaniel, Jr.), 1998.
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, S. Gavrilov. Investigation of properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe. E-MRS Meeting, Strasburg, France, July, NIV/P8, p. N-7 (1998).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, V.A. Kulbachinskii, P.D. Marjanchuk, I.A. Churilov. Features of optical FTIR spectra of semimagnetic Hg1-xMnxTe1-ySey single crystals. E-MRS Meeting, Strasburg, France, July, C/P31, p. C-18 (1998).