Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2008 год

Статьи

• Dneprovskii V., Kabanin D., Lyaskovskii V., Santalov A., Wumaier T., Thai Giang Dang and Zhukov E. Nonlinear absorption and refraction of CdSe/ZnS quantum dots at two-photon resonant excitation of excitons. Phys. Status Solidi C, v. 5, N 7, p. 2507-2510 (2008).
• Dneprovskii V., Kabanin D., Lyascovskii V., Wumaier T. and Zhukov E. Anomalous resonant nonlinear absorption of excitons in CdSe/ZnS quantum dots. Phys. Status Solidi C, v. 5, N 7, p. 2503-2509 (2008).
• Astakhov G.V., Glazov M.M., Yakovlev D.R., Zhukov E.A., Ossau W., Molenkamp L.W. and Bayer M. Time-resolved and continuous-wave optical spin pumping of semiconductor quantum wells. Semicond. Sci. Technol., v. 23, p. 1-14 (2008).
• Zvyagin I.P. A Percolation Approach to the Temperature and Charge Carrier Concentration Dependence of the Hopping Conductivity in Organic Materials. Phys. Status Solidi C, v. 5, N 3, p. 725-729 (2008).
• Звягин И.П., Ормонт М.А. Особенности частотной зависимости низкотемпературной бесфононной проводимости неупорядоченных систем. Вестник Моск. ун-та. Сер. 3, т. 16, в. 4, с. 44-47 (2008).
• Ормонт М.А., Звягин И.П. Кулоновская щель и суперлинейность частотной зависимости резонансной прыжковой проводимости неупорядоченных полупроводников. Вестник центра хемотроники стекла им. В.В. Тарасова, в. 4, с. 168-173 (2008).
• Венедиктов В.А. Математическое моделирование прыжковой проводимости неупорядоченных систем с ориентационным беспорядком. Вестник центра хемотроники стекла им. В.В. Тарасова, в. 4, с. 181-186 (2008).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В. Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий. Материалы электронной техники, в. 1, с. 52-56 (2008).
• Кошелев О.Г., Гусева Е.А. О применении интерференции миллиметровых и субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по толщине полупроводниковых пластин. Известия РАН. Сер. Физическая, т. 72. в. 1, с. 120-124 (2008).
• Казанский А.Г., Кошелев О.Г., Сазонов А.Ю., Хомич А.А. Фотопроводимость тонких пленок аморфного гидрированного кремния. ФТП, т. 42, в. 2, с. 192-194 (2008).
• Kazanskii A.G., Kong G., Zeng X., Hao H., Liu F. Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure. J. Non-Cryst. Solids, v. 354, p. 2282-2285 (2008).
• Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si:H. ФТП, т. 42, в. 4, с.447-450 (2008).
• Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, в. 4, с. 28-31 (2008).
• Бадгутдинов М.Л., Юнович А.Э. Спектры излучения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN: модель двумерной комбинированной плотности состояний. ФТП, т. 42, в. 4, с. 438-446 (2008).
• Бадгутдинов М.Л., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Рассохин И.Т., Сощин Н.П., Юнович А.Э. Светодиодный модуль с регулируемой цветовой температурой. Светотехника, в. 6, с. 15-18 (2008).
• Юнович А.Э. Светодиоды в освещении. TOLIGHT, в. 1(8), с. 21-23 (2008).
• Minina N.Ya., Bogdanov E.V., Kissel H., Shirokov S.S., Yunovich A.E. Uniaxial compression influence on electroluminescence spectra in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs heterostructures. High Pressure Research, An International Journal, v. 28, N 4, p. 559-563 (2008).
• Каприпидис Т.К., Мальцев В.В., Волкова Е.А., Чукичев М.В., Леонюк Н.И. Термическая устойчивость монокристаллов цинкита. Кристаллография, т. 53, в. 2, с. 351-355 (2008).
• Белогорохов А.И., Пархоменко Ю.Н., Карпов Ю.А., Попов И., Гуткин В., Уваров В., Белогорохова Л.И., Кусельман И. Кремниевые наносферы: возможная аналогия с фуллереновыми структурами. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, т. 74, с. 47-55 (2008).

Тезисы докладов, публикации в трудах конференций и публикации в электронных изданиях

• Zvyagin I.P. Apparent hopping mobility of charge carriers in disordered solids. В сб.: Материалы XI Межд. конф. "Диэлектрики-2008" (Санкт-Петербург, 3-7 июня 2008 г.), т. 1, с. 23-25.
• Ормонт М.А., Звягин И.П. Влияние кулоновской щели на частотную зависимость резонансной проводимости неупорядоченных полупроводников. Материалы XI Межд. конф. "Диэлектрики-2008" (Санкт-Петербург, 3-7 июня 2008 г.), т. 1, с. 98-100.
• Хомич А.В., Хмельницкий Р.А., Лаптук Н.М., Поклонский Н.А., Баев В.Г., Ральченко В.Г., Заведеев Е.В., Чукичев М.В. Оптические и парамагнитные свойства природных и синтетических алмазов, имплантированных ионами дейтерия. Материалы XI Межд. конф. "Диэлектрики-2008" (Санкт-Петербург, 3-7 июня 2008 г.), т. 2, с. 71-74.
• Козлова М.В. Зависимость спектров пропускания и фотолюминесценции коллоидного раствора квантовых точек CdSe/ZnS от температуры. Тез. докл. Межд. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам "Ломоносов-2008" (Москва, МГУ, апрель 2008 г.), Секция "Физика", с. 229-230.
• Козлова М.В., Драчева О.Е. Зависимость спектров пропускания и фотолюминесценции коллоидного раствора квантовых точек СdSe/ZnS от температуры. Тез. докл. 14-й Всеросс. научной конф. студентов физиков и молодых ученых (Казань, март 2008 г.), с. 213.
• Ормонт М.А., Звягин И.П. Кулоновская щель и суперлинейность частотной зависимости бесфононной проводимости. Тез. докл. научной сессии Центра хемотроники стекла им. В.В. Тарасова. Москва, 15 апреля 2008 г., с. 48.
• Венедиктов В.А. Математическое моделирование прыжковой проводимости неупорядоченных систем с ориентационным беспорядком. Тез. докл. научной сессии Центра хемотроники стекла им. В.В. Тарасова. Москва, 15 апреля 2008 г., с. 28.
• Лебедев А.И. Расчеты свойств сегнетоэлектрических сверхрешеток BaTiO3/SrTiO3 из первых принципов. Тез. докл. научной конф. "Ломоносовские чтения", секция физики (Москва, МГУ, физический факультет, апрель 2008 г.), с. 91-94.
• Лебедев А.И. Первопринципные расчеты свойств сегнетоэлектрических сверхрешеток BaTiO3/SrTiO3. Тез. докл. XVIII Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков (Санкт-Петербург, июнь 2008 г.), с. 92.
• Случинская И.А., Лебедев А.И. О природе сегнетоэлектричества в перовскитах CaTiO3, SrTiO3, BaTiO3, легированных свинцом. Тез. докл. XVIII Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков (Санкт-Петербург, июнь 2008 г.), с. 332-333.
• Казанский А.Г. Аморфный и нанокристаллический кремний: методы получения и основные физические свойства. Тез. докл. V Межд. конф. и VI школы молодых ученых "Кремний 2008" (Черноголовка, июнь 2008 г.), с. 32.
• Казанский А.Г. Проблемы определения оптической ширины зоны в микрокристаллическом гидрированном кремнии. Тез. докл. V Межд. конф. и VI школы молодых ученых "Кремний 2008" (Черноголовка, июнь 2008 г.), с. 146.
• Kazanskii A.G., Kong G., Zeng X. Электрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой. Сборник трудов VI Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, июль 2008 г.), с. 16.
• Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки. Тез. докл. V Межд. конф. и VI школы молодых ученых "Кремний 2008" (Черноголовка, июнь 2008 г.), с. 144.
• Авакянц Л.П., Агапов М.Г., Боков П.Ю., Червяков А.В., Юнович А.Э., Явич Б.С. Особенности спектров отражения гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (С.-Петербург, июнь 2008 г.), c. 74-75.
• Иванников П.В., Габельченко А.И., Мирошников П.А., Чукичев М.В., Юнович А.Э., Агапов М.Г., Васильева Е.Д., Явич Б.С. Применение методов цветной катодолюминесценции в РЭМ для выявления и локализации дефектов в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (С.-Петербург, июнь 2008 г.), c. 90-91.
• Сощин Н.П., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Широков С.С, Юнович А.Э. Светодиоды теплого белого свечения на основе p-n- гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (С.-Петербург, июнь 2008 г.), c. 119-120.
• Туркин А.Н., Широков С.С., Юнович А.Э., Джаббаров Р., Мусаева Н., Scholz F., Wunderer T. Исследование системы "кристалл + люминофор" для эффективных белых светодиодов. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (С.-Петербург, июнь 2008 г.), c. 128-129.
• Богданов Е.В., Киссель Х., Минина Н.Я., Широков С.С., Юнович А.Э. Электролюминесценция в гетероструктурах p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs при одноосном сжатии. Тез. докл. Российского Совещания по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники "Фотоника-2008" (Новосибирск, Академгородок, 19-23 авг. 2008 г.), с. 56.
• Bogdanov E.V., Chuyas A.V., Kissel H., Minina N.Ya., Shirokov S.S., Yunovich A.E. Electroluminescence spectra and current-voltage characteristics in laser diodes structures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial compression. Abstracts of 4th Int. Conf. on materials science and condensed matter physics "MSCMP" (Chisinau, Moldova, Sept. 23-26, 2008), p. 203.
• Bogdanov E.V., Kissel H., Minina N.Ya., Shirokov S.S., Yunovich A.E. Uniaxial compression influence on electroluminescence spectra in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs heterostructures. Book of Abstracts, 46th EHPRG International Conference, Valencia (Spain), 7-12 September 2008, p. 212.
• Berman I.V., Bogdanov E.V., Kissel H., Minina N.Ya., Shirokov S.S., Yunovich A.E. Electroluminescence in Quantum Well Heterostructures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs Under Uniaxial Stress. Abstracts of 13th Int. Conf. on High Pressures Semiconductor Physics "HPSP13" (Fortaleza, Brazil, July 22-25, 2008).
• Maxim Agapov, Lev Avakyants, Pavel Bokov, Anatoly Chervyakov, Alexey Chuyas, Boris Yavich, Alexander Yunovich. The dependences of the InGaN/GaN/AlGaN electroreflectance lines parameters from the modulation regimes. Abstracts of Int. Workshop on Nitride semiconductors "IWN2008", October 6-10, 2008, Montreux, Switzerland, p. 497.
• Каприпидис Т.К., Чукичев М.В., Мальцев В.В., Волкова Е.А., Леонюк Н.И. Влияние термической обработки на люминесцентные свойства и морфологию монокристаллов цинкита. Тез. докл. Межд. семинара "Структура и разнообразие минерального мира" (Сыктывкар, июнь 2008 г.), с. 382-383.
• Иванников П.В., Габельченко А.И., Мирошников П.А., Саприн Д.А., Широков С.С., Юнович А.Э., Агапов М.А., Васильева Е.Д., Явич Б.С. Выявление и локализация ростовых дефектов в светодиодных структурах на основе GaN методами ЦКЛ и ЦКЛВСР в РЭМ. Тез. докл. XXII Росс. конф. по электронной микроскопии "ЭМ 2008" (Черноголовка, октябрь 2008 г.), с. 132.
• Юнович А.Э., Копьев П.С. Белые светодиоды на основе широкозонных гетероструктур с квантовыми ямами. Международный Форум по Нанотехнологиям, Москва, Международный Выставочный Центр, 3-5 дек. 2008 г., секция "Нанофотоника". Тез. докл., т. I, с. 119,120.
• Юнович А.Э. Исследования и разработки светодиодов в России и в мире (итоги 2008 г.). Тез. докл. 2-го Международного Форума "Светодиоды в светотехнике" на выставке ИНТЕРСВЕТ 2008, Москва, 10 декабря 2008 г.
• Belogorokhov I., Tikhonov E., Breusova M., Pushkarev V., Belogorokhova L., Tomilova L., Khokhlov D. Structural features of semiconductor structures based on charged bisphtalocianine and triphtalocianine complexes, doped with lutetium. Mater. of the 17th Int. Conf. of the Israel Society for Quality (Jerusalem, Israel, November 2008), p. 159.
• Belogorokhov A.I., Popov I., Parkhomenko Yu.N., Gutkin V., Uvarov V., Belogorokhova L.I., Karpov Yu.A., Kuselman I. Effect of Structural Features on Optical Properties of Nano-Crystalline silicon Powders Prepared by Plasma-Chemical Technique. Mater. of the 17th Int. Conf. of the Israel Society for Quality (Jerusalem, Israel, November 2008), p. 80.
• Belogorokhov A.I., Parkhomenko Yu.N., Popov I., Gutkin V., Uvarov V., Belogorokhova L.I., Karpov Yu.A., Kuselman I. Plasma-Chemical Silicon Carbide for UV-Protective Composites. Mater. of the 17th Int. Conf. of the Israel Society for Quality (Jerusalem, Israel, November 2008), p. 160.
• Belogorokhov I.A., Tikhonov E.V., Dronov M.A., Breusova M.O., Pushkarev V.E., Belogorokhova L.I., Tomilova L.G., Khokhlov D.R. Vibronic properties of semiconductor structures containing charged bisphthalocyanine complexes, doped with lutetium. Extended Abstracts of the 6-th Intern. Conf. On Porous Semiconductors - Science and Technology (Sa Coma-Mallorka, Spain, 10-14 March 2008), p. 445-446.
• Белогорохов А.И., Пархоменко Ю.Н., Карпов Ю.А., Попов И., Гуткин В., Уваров В., Белогорохова Л.И., Кусельман И. Кремниевые наносферы: структурные, оптические и морфологические свойства. Тез. докл. XIII Нац. конф. по росту кристаллов (Москва, ИК РАН, ноябрь 2008 г.).
• Белогорохов А.И., Пархоменко Ю.Н., Белогорохова Л.И., Скрылева Е.А. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия нанокристаллического кремния, полученного методом плазмохимического синтеза. Тез. докл. XIII Нац. конф. по росту кристаллов (Москва, ИК РАН, ноябрь 2008 г.), с. 428.

Учебники, учебные пособия

• Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. М., Физматлит, 2008, 488 с. (33.5 уч.-изд. л.)