Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2003 год
Статьи
- Днепровский В.С., Жуков Е.А., Шалыгина О.А., Евтихиев В.П., Кочерешко В.П.
Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CdSe/ZnSe.
ЖЭТФ, т. 124, в. 6(12), с. 1-8 (2003).
- Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А. Влияние обменного взаимодействия на
энергетический спектр электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым
беспорядком. ЖЭТФ, т. 124, в. 11, с. 1127-1132 (2003).
- Борисов К.Е., Звягин И.П., Миронов А.Г. Особенности вертикального
прыжкового переноса электронов с участием фононов в сверхрешетках с
контролируемым беспорядком. Вестник Моск. университета, сер. 3, в. 4, с. 56-60
(2003).
- Маренкин С.Ф., Михайлов С.Г., Морозова В.А., Палкина К.К., Кошелев О.Г.
Синтез и свойства монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxAs2. Изв. РАН.
Неорганические материалы, т. 39, в. 10, с. 1189-1192 (2003).
- Kozlova J.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Gavrin V.N., Koshelev O.G.,
Markov A.V., Morozova V.A., Polyakov A.J., Verbitskaya E.M., Veretenkin E.P.
A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using
optical absorption spectra and photoconductivity measurements. Nuclear
Instruments and Methods in Physics Research, v. 512, N 1-2, р. 1-7 (2003).
- Казанский А.Г., Мелл Х., Форш П.А. Влияние термического отжига на
оптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллического
гидрированного кремния. ФТП, т. 37, в. 2, с. 235-237 (2003).
- Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Фотоиндуцированные
изменения проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного
эрбием. ФТП, т. 37, в. 7, с. 793-795 (2003).
- Казанский А.Г., Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В. Влияние электронного
облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического
гидрированного кремния. ФТП, т. 37, в. 9, с. 1100-1103 (2003).
- Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Оптические и
фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния, компенсированного
бором. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. в. 2,
с. 56-58 (2003).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Фотоиндуцированный отжиг
метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si:H. ФТП, т. 37,
в. 2, с. 142-144 (2003).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Влияние светового излучения на
скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(B).
ФТП, т. 37, в. 6, с. 753-755 (2003).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных
метастабильных состояний в a-Si:H(P). Известия вузов. Материалы электронной
техники. в. 4, с. 431-436 (2003).
- Кудряшов В.Е., Юнович А.Э. Туннельная излучательная рекомбинация в
p-n-гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединений типа
AIIIBV. ЖЭТФ, т. 124, в. 4(10), с. 1-6 (2003).
- Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. Электрические
свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов
InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами. ФТП, т. 37, в. 9,
с. 1131-1137 (2003).
- Юнович А.Э. Светодиоды как основа освещения будущего. Светотехника,
в. 3, с. 2-7 (2003).
- Юнович А.Э. Светит больше - греет меньше. Экология и жизнь, в. 4(33),
с. 61-64 (2003).
- Юнович А.Э. Светодиоды на основе нитрида галлия и проблемы освещения
будущего. Светодиоды и лазеры, в. 1-2, с. 5-8 (2003).
- Чукичев М.В., Аливов Я.И., Атаев Б.М., Колониус С.Д. Влияние меди,
введенной в процессе термической диффузии, на люминесцентные свойства окиси
цинка. Поверхность, в. 5, с. 70-73 (2003).
- Один И.Н., Чукичев М.В., Рубина М.Э. Получение и люминесцентные свойства
кристаллов CdS, легированных галлием и теллуром в парах кадмия. Изв. РАН.
Неорганические материалы, т. 39, в. 7, с. 793-795 (2003).
- Один И.Н., Чукичев М.В. Исследование влияния йода на люминесцентные
свойства халькогенидов кадмия. Изв. РАН. Неорганические материалы, т. 39,
в. 5, с. 534-537 (2003).
Тезисы докладов на конференциях
- Dneprovskii V.S., Evtikhiev V.P., Lyascovskii V.L., Shatalin A.I.,
Zhukov E.A. Photoluminescence of CdSe/ZnSe quantum dots and CdSe/Al2O3
at high excitation. 11th Int. Symposium "Nanostructures: physics and
Technology", St.Petersburg, р. 362 (2003).
- Dneprovskii V.S., Zhukov E.A. Nonstationary processes in semiconductor
quantum dots and wires. ALT-03, Cranfield University, GB, р.11 (2003).
- Borisov K.E., Zvyagin I.P. Impurity-Assisted Vertical Hopping In
Superlattices With Intentional Disorder. 11th Int. Symp. "Nanostructurs:
Physics and Technology", St.Petesburg, Russia, June 2003. Ed. Zh. Alferov
and L. Esaki. Ioffe Institute, St.Petersburg, p. 98-99 (2003).
- Борисов К.Е., Звягин И.П. Роль примеси в вертикальном переносе носителей в
неупорядоченных решетках. Научная конференция "Ломоносовские чтения". Секция
физики. 18 - 25 апреля 2003 г. Сб. расширенных тезисов докладов. М: Физический
факультет МГУ, с. 63-66 (2003).
- Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N. Variable range hopping in
hydrogenated amorphous silicon. 10th Int. Conf. on Hopping and Related
Phenomena, Miramare - Trieste, 2003. Abstracts.
- Zvyagin I.P., Borisov K.E. Superlattices with intentional disorder:
impurity-assisted vertical hopping. 10th Int. Conf. on Hopping and Related
Phenomena, Miramare - Trieste, 2003. Abstracts, р. 1.
- Звягин И.П. Прыжковая проводимость в планарных массивах самоорганизованных
квантовых точек. VI Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы
докладов, Санкт-Петербург, 2003, с. 177-178.
- Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А. Сверхрешетки с контролируемым
беспорядком: концентрационная щель. VI Российская конференция по физике
полупроводников. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 2003, с. 132-133.
- Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н. Прыжковая проводимость в
гидрированном аморфном кремнии. VI Российская конференция по физике
полупроводников. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 2003, с. 431-432.
- Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. Influence of impurities on the
ferroelectric phase transitions in IV-VI semiconductors. NATO Advanced
Research Workshop on the disordered ferroelectrics (DIFE-2003, Kiev,
Ukraine). Abstract book, p. 26.
- Лебедев А.И., Случинская И.А. Новый метод определения параметров
потенциальной ямы для нецентральных атомов в твердых растворах с помощью
EXAFS-спектроскопии на примере Ge в твердых растворах GeTe-SnTe. Тез. докл.
4-й Национальной конф. по применению рентгеновского, синхротронного излучений,
нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2003, Москва, ноябрь
2003), с. 355.
- Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A., Nikitenko S.G., Dorofeev S.G.
Determination of Tm charge state in PbTe:Tm by XANES method. The 12th
Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS-XII, Malmo, Sweden,
June 2003). Abstract book, p. 69.
- Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. Determination of the three-dimensional
potential from the EXAFS data: off-center Ge atom in SnGeTe. The 12th Int.
Conf. on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS-XII, Malmo, Sweden, June 2003).
Abstract book, p. 323.
- Казанский А.Г. Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В. Влияние на оптические
и фотоэлектрические свойства пленок ?с-Si:H облучения их электронами. Тезисы
докладов научной конференции "Ломоносовские чтения", Москва, с. 67- 69 (2003).
- Казанский А.Г. Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В. Влияние дефектов на
фотопроводимость микрокристаллического гидрированного кремния. Тезисы
докладов Третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим
основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных
структур на их основе ("Кремний-2003"), Москва, с. 387 (2003).
- Бирюков А.В., Казанский А.Г., Фенухин А.В. Метастабильное состояние
легированного эрбием аморфного гидрированного кремния, вызванное освещением.
Тезисы докладов Третьей Российской конференции по материаловедению и
физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов
кремния и приборных структур на их основе ("Кремний-2003"), Москва, с. 378
(2003).
- Birukov A.V., Fenuchin A.V. Kazanskii A.G., Terukov E.I. Light-induced
effects in a-Si:H(Er). Book of abstracts. European Materials Research Society
2003 Spring Meeting, Strasbourg, p. J/P.10 (2003).
- Chukichev M.V., Forsh P.A., Fuhs W., Kazanskii A.G. Creation of
metastable defects in microcrystalline silicon films by keV-electron
irradiation. Book of abstracts. 20th International Conference on Amorphous
and Microcrystalline Semiconductors: Science and Technology, Sao Paolo,
p. 120 (2003).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных
метастабильных состояний в a-Si:H(P). Тезисы докладов третьей Российской
конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий
получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе
("Кремний 2003"). Москва, 2003, с. 398-399.
- Yunovich A.E., Kudryashov V.E., Turkin A.N., Leroux M., Dalmasso S.
Tunnel effects in luminescence spectra of GaN-based heterostructures.
MRS Symp. Proc., 2003, v. 743, L11.4, p. 647-652.
- Юнович А.Э. Светодиоды на основе нитрида галлия и проблемы твердотельного
освещения. 2-я Всероссийская Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия -
структуры и приборы", С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 114-115.
- Кудряшов В.Е., Юнович А.Э. Туннельная излучательная рекомбинация в
p-n-гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединений типа AIIIBV.
2-я Всероссийская Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и
приборы", С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 58-59.
- Мамакин С.С., Обыдена С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И.
Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе
гетеропереходов InGaN/GaN с модулировано легированными квантовыми ямами.
2-я Всероссийская Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и
приборы", С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 60-61.
- Варешкин М.Г., Кудряшов В.Е., Юнович А.Э., Гальчина Н.А., Коган Л.М.,
Сощин Н.П. Спектры люминесценции и эффективность белых светодиодов.
2-я Всерос. Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и приборы",
С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 62-63.
- А.Э.Юнович. Исследования и разработки полупроводниковых светодиодов для
светотехники будущего. V Межд. Светотехническая Конференция, С.-Петербург,
2-5.09.2003., Тез. докладов, с. 10.
- Abramov V.S., Anikin P.P., Shishov A.V., Yunovich A.Е. Angle dependence
of white LED's color characteristics. 8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop,
Sept.- Oct., 2003; Richmond, Virginia, USA; Abstr. Book, MPos-19, p. 92.
- Варешкин М.Г., Обыдена С.С., Широков С.С., Юнович А.Э. Спектры
электролюминесценции и электрические свойства мощных светодиодов на основе
гетероструктур типа InGaN/GaN. Международная конференция "Оптика,
оптоэлектроника и технологии". Ульяновск, 2003, тез. докл., с. 64.
- Маняхин Ф.И., Обыдена С.С., Юнович А.Э. Влияние распределения примеси в
квантовых ямах на электролюминесценцию светодиодных гетероструктур
InGaN/AlGaN/GaN. Международная конференция "Оптика, оптоэлектроника и
технологии". Ульяновск, 2003, тез. докл., с. 66.
- М.Г. Варешкин, С.С.Обыдена, С.С.Широков. Спектры электролюминесценции и
электрические свойства мощных светодиодов на основе гетероструктур типа
InGaN/GaN. Международная Конференция студентов и аспирантов "Ломоносовские
чтения", апрель 2003, Москва, МГУ им. М.В.Ломоносова, Тезисы докладов, с.
239-240.
- Alivov Ya.I., Ataev B.M., Norton D.P., Chukichev M.V., Nikitenko V.A.,
Mamedov V.V., Zinenko V.I., Agafonov Yu.A., Pustovin A.N. Comparative studies
of nondoped and Ga-doped films, implanted with N+ ions. Book of abstracts
II, 22th International Conference on defects in semicondactors, Arhus,
Denmark, July 28-August 1, 2003.
- Колониус С.Д., Один И.Н., Чукичев М.В., Чегнов В.П., Кортунова Е.В.,
Лютин В.И., Щванский П.П. Катодолюминесценция объемных кристаллов оксида
цинка. Труды V международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и
технология", г.Ульяновск, 2003, с. 134.
- Колониус С.Д., Чесникова О.В, Чукичев М.В., Кортунова Е.В., Лютин В.И.,
Щванский П.П. Катодолюминесценция гидротермальных монокристаллов цинкита.
Материалы VI международной конференции "Кристаллы: рост, свойства, реальная
структура, применение". г. Александров, 2003, с. 114-115.
Публикации за другие годы
Кафедра физики полупроводников