Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2000 год

Статьи

• В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Н.Ю. Маркова, Е.А. Муляров, К.А. Черноуцан, О.А. Шалыгина. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP) - диэлектрик. Физ. тверд. тела, т. 42, в. 3, с. 532-536 (2000).
• E.A. Muljarov, E.A. Zhukov, V.S. Dneprovskii, Y. Masumoto. Dielectrically enhanced excitons in semiconductor-insulator quantum wires: theory and experiment. Phys. Rev. B, v. 62, N 11, p. 7420-7432 (2000).
• E.A. Zhukov, H.M. Yates, M.E. Pemble, C.M. Sotomayor Torres, S.G. Romanov. Interface Interactions and The Photoluminescence From Asbestos-Templated InP Quantum Wires. Superlattices and Microdevices, v. 27, N 5/6, p. 571-576 (2000).
• K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, O. Shaligina, E. Zhukov. Time-Resolved Luminescence of Porous Si and InP. Phys. Status Solidi A, v. 182, N 1, p. 347-352 (2000).
• I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices. Phys. Status Solidi B, v. 218, N 1, p. 107-111 (2000).
• S.V. Demishev, A.A. Pronin, M.V. Kondrin, N.E. Sluchanko, N.A. Samarin, T.V. Ischenko, G. Biskupski, I.P. Zvyagin. Hopping Transport in Bulk Amorphous Gallium Antimonide. Phys. Status Solidi B, v. 218, N 1, p. 67-71 (2000).
• P. Thomas, I.P. Zvyagin. Radiation related to electrically driven oscillations in doped double quantum well structures. Phys. Status Solidi B, v. 218, N 2, p. 449-453 (2000).
• I.P. Zvyagin, M.A. Ormont, K.E. Borisov. Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder. Nanotechnology, v. 11, N 4, р. 375 (2000).
• A.I. Lebedev, A.V. Michurin, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTeSe and InGaTe. J. Phys. Chem. Sol., v. 61, N 12, p. 2007-2012 (2000).
• А.И. Лебедев, А.В. Мичурин, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Структура и электрические свойства твердых растворов InTeSe, InGaTe и InTlTe. Кристаллография, т. 45, в. 4, с. 611-616 (2000).
• О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Компенсационные методы определения времени жизни неосновных носителей заряда в P-N структурах. Инженерная физика, в. 2, с. 30-35 (2000).
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев. Об определении параметров зонной структуры ZnAs2. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия, в. 2, с. 49-52 (2000).
• О.Г. Кошелев. Об аномалиях времени релаксации фотопроводимости, связанных с неоднородностями зондирующего СВЧ поля в полупроводниковых пластинах. Изв. РАН, т. 64, в. 12, с. 2449-2452 (2000).
• О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Устройство для бесконтактного определения времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах кремния с P-N переходами. Заводская лаборатория, т. 66, в. 10, с. 34 (2000).
• О.Г. Кошелев. СВЧ способ определения скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на поверхности легированных пластин кремния. Заводская лаборатория, т. 66, в. 10, с. 29 (2000).
• S.F. Marenkin, V.A. Morozova. Zinc and Cadmium Diarsenides Single Crystals and Films: Synthesis and Physicochemical Properties. Russian Journal of Inorganic Chemistry, v. 45, Suppl. 1, p. S80-S103 (2000).
• А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором ?с-Si:H. Физ. и техн. полупроводн., т. 34, в. 3, с. 373-376 (2000).
• Е.И. Теруков, М.И. Казанин, О.С. Коньков, В.Х. Кудоярова, К.В. Коугия, А.Г. Казанский, С.В. Никулин. Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства a-Si:H, полученного высокочастотным разложением силана. Физ. и техн. полупроводн., т. 34, в. 7, с. 861-864 (2000).
• А.Г. Казанский, С.Н. Козлов, Х. Мелл, П.А. Форш. Влияние освещения на электрические и фотоэлектрические параметры ?с-Si:H, слабо-легированного бором. Письма в ЖТФ, т. 26, в. 10, с. 17-21 (2000).
• И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт. Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P). Физ. и техн. полупроводн., т. 34, в. 3, с. 364-367 (2000).
• С.К. Обыден, Г.В. Сапарин, П.Г. Иванников, М.В. Чукичев, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, M. Leroux, S. Dalmasso, B. Beaumont, P. de Mierry. Исследование дефектов в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN методами катодолюминесценции и растровой электронной микроскопии. Материалы электронной техники, в. 4, с. 29-35 (2000).
• S.K. Obyden, G.V. Saparin, P.G. Ivannikov, A.E. Yunovich, M. Leroux, S. Dalmasso, B. Beaumont. Application of composite contrast SEM-Mode to the study of defects in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures. Scanning, v. 22, N 2, p. 126-127 (2000).
• Г.А. Александрова, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Сравнительное исследование люминесцентных свойств эпитаксиальных структур на основе широкозонных твердых растворов InGaN и InGaP. Материалы электронной техники, в. 2, с. 64-68 (2000).
• Г.А. Александрова, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Влияние физико-технологических факторов на краевую УФ-люминесценцию нитрида галлия. Материалы электронной техники, в. 3, с. 64-69 (2000).
• И.Н. Один, М.В. Чукичев, М.Э. Рубина. Люминесцентные свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных сурьмой (висмутом). Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 36, в. 3, с. 298-301 (2000).
• И.Н. Один, М.В. Чукичев. Физикохимический анализ систем Cd-Sb(Bi)-S и свойства фоточувствительных твердых растворов на основе сульфидных соединений кадмия. Журнал неорган. химии, т. 45, в. 2, с. 255-260 (2000).

Тезисы докладов на конференциях

• K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, S. Romanov, O. Shaligina, E. Zhukov. Optical properties of semiconductor (InP) - dielectric quantum wires. Proс. Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology" (St.Petersburg, Russia, 2000), p. 383-386.
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, Y. Masumoto, T. Matsumoto, E.A. Zhukov. The effect of deuterium on the optical properties of free standing porous silicon layers. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology" (St.Petersburg, Russia, 2000), p. 460-463.
• K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, V. Gusev, A. Syrnicov, O. Shaligina, E. Zhukov. Linear and Nonlinear Optical Properties of Excitons in Semiconductor - Dielectric Quantum Wires. Abstracts of the Sixth Int. Workshop on NOEKS (Marburg, Germany, 2000), M65.
• K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, O. Shaligina, E. Zhukov. Time-Resolved Luminescence of Porous Si and InP. Extended Abstracts of the Second Int. Conf. "Porous semiconductors - science and technology" (Madrid, Spain, 2000), p. 168-169.
• E. Zhukov, Y. Masumoto, V. Dneprovskii, E. Muljarov, K. Chernoutsan, S. Romanov. Excitons in InP quantum wires with dielectric barriers. Abstracts of ICPS-25 (Osaka, Japan, 2000), Part I, p. 211.
• S.A. Gavrilov, S.Yu. Tikhonova, S.V. Lemeshko, E.A. Zhukov, A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Principles of CdS nanowire array formation by electrodeposition into porous anodic alumina. Abstracts of ICPS-25 (Osaka, Japan, 2000), Part II, p. 627.
• I.P. Zvyagin, M.A. Ormont, K.E. Borisov. Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder. 8th Int. Symp. "Nanostructurs: Physics and Technology" (St.Petersburg, Russia, June 19-23, 2000). Ed. Zh. Alferov and L. Esaki. Ioffe Institute, St.Petersburg, p. 516-519 (2000).
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro. EXAFS study of the local structure of PbSnS solid solution. Int. Conf. "Current Status of Synchrotron Radiation in the World" (Moscow, 2000). Abstracts, p. 96.
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro. EXAFS study of PbS-SnS solid solution. The 11th Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure (Ako, Japan, 2000), Abstract book, abstract P3-066 (2000).
• О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Компенсационные методы определения времени жизни неосновных носителей заряда в P-N структурах. Научная сессия МИФИ-2000 (17-21 января 2000 г., Москва).
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Определение распределения проводимости и фотопроводимости по толщине высокоомных полупроводниковых пластин. Научная сессия МИФИ-2000 (17-21 января 2000 г., Москва).
• О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Устройство для бесконтактного определения времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах кремния с P-N переходами. Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000, Москва, МИСиС, февраль 2000), с. 399-400.
• О.Г. Кошелев. СВЧ способ определения скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на поверхности легированных пластин кремния. Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000, Москва, МИСиС, февраль 2000), с. 398.
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Способ определения слоевой неоднородности фотопроводимости в высокоомных полупроводниковых пластинах. Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000, Москва, МИСиС, февраль 2000), с. 401.
• О.Г. Кошелев. Об аномалиях времени релаксации фотопроводимости, связанных с неоднородностями зондирующего СВЧ поля в полупроводниковых пластинах. Труды VII Всероссийской школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах" (Красновидово, май 2000), т. 2, с. 39-40.
• V.N. Gavrin, Y.P. Kozlova, E.P. Veretenkin, T.J. Bowles, V.K. Eremin, E.M. Verbitskaya, A.V. Markov, A.Y. Polyakov, O.G. Koshelev, V.A. Morozova. Bulk GaAs as a Solar Neutrino Detector. 2nd Int. Workshop on Radiation Imaging Detectors. (Freiburg i. Br. Germany, July 2-6, 2000), p. 33.
• И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии. II Междунар. конф. "Фундаментальные проблемы физики" (Саратов, 2000). Материалы конференции, с. 85-86.
• И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин. Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором. Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000, Москва, МИСиС, февраль 2000). Тез. докл., с. 255-256.
• В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, С.Д. Якубович. Спектры вынужденного и когерентного излучения инжекционных лазеров на основе нитрида галлия. Тез. докл. Междунар. конф. "Оптика полупроводников" (Ульяновск, июнь 2000), с. 9.
• С.К. Обыден, Г.В. Сапарин, П.Г. Иванников, М.В. Чукичев, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, M. Leroux, S. Dalmasso, B. Beaumont. Исследование дефектов в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN методами катодолюминесценции и растровой электронной микроскопии. Тез. докл. Междунар. конф. "Оптика полупроводников" (Ульяновск, июнь 2000), с. 61-62.
• F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.E. Yunovich. Change of charge centers distribution in AlGaN/InGaN/GaN heterostructures with multiple quantum wells during LED's aging at high currents. The Fourth European GaN Workshop (Nottingham, 2000), abstract 2D.
• S.K. Obyden, G.V. Saparin, P.G. Ivannikov, M.V. Chukichev, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, M. Leroux, S. Dalmasso, B. Beaumont. Cathodoluminescence and scanning electron microscopy studies of defects in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures. The Fourth European GaN Workshop (Nottingham, 2000), abstract 8D.
• V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. Radiative recombination mechanisms in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. The Fourth European GaN Workshop (Nottingham, 2000), abstract P38.
• В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, С.Д. Якубович. Спектры вынужденного и когерентного излучения инжекционных лазеров на основе нитрида галлия. Тез. докл. 4-го Всероссийского совещания "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Санкт-Петербург, сентябрь 2000), с. 96-97.
• В.Е. Кудряшов, А.Э. Юнович. Анализ механизмов рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. Тез. докл. 4-го Всероссийского совещания "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Санкт-Петербург, сентябрь 2000), с. 99-101.
• С.К. Обыден, Г.В. Сапарин, П.В. Иванников, А.Э. Юнович, M. Leroux, S. Dalmasso, G. Beamont. Исследование гетероэпитаксиальных структур InGaN/AlGaN/GaN в режиме композитного контраста в РЭМ. XVIII Российская конф. по электронной микроскопии (Черноголовка, май 2000), тез. докл., с. 130-131.
• А.Н. Туркин, М.В. Чукичев. Спектры катодолюминесценции гетероструктур InGaAl/AlGaN/GaN. Тез. докл. 4-го Всероссийского Совещания "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Санкт-Петербург, сентябрь 2000), с. 35-36.
• М.В. Чукичев, И.Н. Один, Йонг-Вон Сонг. Люминесцентные свойства монокристаллов твердых растворов системы AgBr-AgCl - материалов ИК техники. Тез. докл. XI конференции высокочистых веществ (Нижний Новгород, 15-18 мая 2000 г.), с. 286-287.
• А.Э. Юнович. Ключ к синему лучу, или о светодиодах и лазерах, голубых и зеленых. В сб.: "Российская наука: Грани творчества на грани веков". Изд. "Научный мир", с. 94-99 (2000).

Электронные публикации

• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин. Электронный журнал "Радиоэлектроника", N 1 (2000).
• V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, F.I. Manyachin. Dependenсe of aging on the inhomogeneities in InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes. MRS Internet J. of Nitride Semicond. Res., 5S1, W11.25 (2000).