Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 34,
в. 3, с. 364-367 (2000).
Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных
метастабильных состояний в пленках a-Si:H<P>
И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт
Обсуждается кинетика релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных
метастабильных состояний, обусловливающих повышение темновой проводимости
пленок a-Si:H<P>. Установлено, что релаксация описывается функциями
типа растянутой экспоненты с параметрами \tau и \beta, различно зависящими
от температуры для фото- и термоиндуцированных состояний. Так, релаксация
фотоиндуцированных состояний характеризуется уменьшением \beta с температурой,
для термоиндуцированных состояний параметр \beta практически постоянен.
Показано, что эти различные температурные зависимости \beta коррелируют с
температурными изменениями полуширины распределений по энергиям отжига этих
состояний. Установленные особенности релаксации фото- и термоиндуцированных
метастабильных состояний обусловлены разными механизмами их образования.
Природа их может быть одна и связана с активацией пассивированных водородом
атомов фосфора.
Другие работы по исследованию аморфных
полупроводников