Работа опубликована в журнале Кристаллография, т. 45, в. 4, с. 611-616 (2000).

Структура и электрические свойства твердых растворов InTe1-xSex и In1-xGaxTe

А. И. Лебедев, А. В. Мичурин, И. А. Случинская, В. Н. Демин, И. Манро
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Лаборатория Дарсбери, Великобритания

Методом EXAFS-спектроскопии исследовано локальное окружение атомов Ga, Tl и Se в твердых растворах на основе InTe. Показано, что исследованные атомы являются примесями замещения, входящими, соответственно, в позиции In(1), In(2) и позиции атомов Te в структуре InTe. Измерениями электрических свойств установлено, что твердые растворы In1-xGaxTe и InTe1-xSex становятся полупроводниками при x>0.24 и x>0.15, соответственно.

Ключевые слова: рентгеновская EXAFS спектроскопия, локальное окружение, полупроводники, теллурид селенид индия, теллурид индия галлия, теллурид индия таллия


Другие работы по исследованию с помощью XAFS