Методом EXAFS-спектроскопии исследовано локальное окружение атомов Ga, Tl и Se в твердых растворах на основе InTe. Показано, что исследованные атомы являются примесями замещения, входящими, соответственно, в позиции In(1), In(2) и позиции атомов Te в структуре InTe. Измерениями электрических свойств установлено, что твердые растворы In1-xGaxTe и InTe1-xSex становятся полупроводниками при x>0.24 и x>0.15, соответственно.Ключевые слова: рентгеновская EXAFS спектроскопия, локальное окружение, полупроводники, теллурид селенид индия, теллурид индия галлия, теллурид индия таллия