Работа опубликована в журнале Физика твердого тела, т. 35, в. 3, с. 629-635 (1993).

Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы в PbTe1-xSx и Pb1-xGexTe

А.И. Лебедев, И.А. Случинская
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Изучено влияние неизоэлектронных примесей Cd, Ga, In, Tl, Sb, Bi и Mn на температуру сегнетоэлектрического фазового перехода (ФП), индуцированного в кристаллах PbTe1-xSx и Pb1-xGexTe нецентральными примесями (НП) S и Ge. Показано, что подобно влиянию беспорядка замещения введение в образцы неизоэлектронных примесей понижает температуру ФП Tc, причем влияние заряженных примесей оказывается более сильным по сравнению с неэлектроактивными примесями. Понижение Tc объясняется влиянием на упорядочение дипольных моментов НП случайных электрических и деформационных полей, создаваемых неизоэлектронными примесями. Величина конкретного эффекта различна для каждой примеси и определяется ее зарядовым состоянием, геометрическими размерами и положением в решетке. Показано, что изучение влияния отклонения от стехиометрии на Tc в легированных образцах позволяет получить более детальную информацию о микроскопическом состоянии примеси в кристалле.

Ключевые слова: полупроводники, сегнетоэлектрики, теллурид сульфид свинца, теллурид свинца германия, полупроводниковые твердые растворы, кадмий, галлий, индий, таллий, сурьма, висмут, марганец, легирование, температура Кюри


Другие работы по исследованию нецентральных примесей