Увеличение энергии связи и силы осциллятора экситонов в наноструктурах и усиление кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой, образующими экситон, в наноструктурах полупроводник-диэлектрик позволяют создавать работающие при комнатной температуре приборы, действие которых основано на физических процессах, определяемых экситонными состояниями.