Темы дипломных работ, защищенных на кафедре физики полупроводников и криоэлектроники в последние годы

2020

• Я.И. Головнин. Свойства тонких пленок на основе селенида железа (магистр).
• Е.В. Жаркова. Нелинейное поглощение и фотолюминесценция легированных медью квантовых точек селенида кадмия в форме тетраподов (магистр).
• А.Е. Мельников. Влияние акустических волн на транспорт электронов в низкоразмерных наноструктурах (магистр).
• Ш.Р. Саитов. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых полимеров (магистр).
• Н.В. Валенко. Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников (бакалавр).
• Д.М. Добрынин. Коррелированный электронный транспорт в системах связанных зарядовых центров (бакалавр).
• Л.А. Костин. Моделирование особенностей эффекта близости в структуре из чередующихся слоев сверхпроводника и ферромагнетика (бакалавр).
• А.М. Лялина. Разработка способов увеличения эффективности затвора одноэлектронного транзистора (бакалавр).
• А.А. Ляшенко. Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от переменной к постоянной длине прыжка с ростом частоты (бакалавр).
• А.А. Попов. Наноэлектромеханический резонатор на основе нитрида кремния (бакалавр).
• Г.А. Савушкин. Подбор режимов нанесения, обработки и исследование промежуточных слоев на подложках аморфного кварца для высокотемпературных сверхпроводящих пленок (бакалавр).

2019

• Е.К. Морозова. Разработка и изготовление высокотемпературных одноэлектронных транзисторов (бакалавр).
• А.В. Петров. Формирование и исследование буферных слоев на подложках аморфного кварца для высокотемпературных сверхпроводящих пленок (бакалавр).
• С.Ю. Рыженкова. Разработка логического элемента на основе системы неупорядоченных примесных атомов (бакалавр).
• А.А. Дорофеев. Исследование твердотельных наноэлектромеханических резонаторов на основе подвешенных наноструктур (магистр).
• В.Н. Лучкин. Нестационарный электронный транспорт через систему связанных коррелированных квантовых точек (магистр).
• И.И. Циняйкин. Исследование биосенсоров на основе полевых транзисторов с кремниевым каналом-нанопроводом (магистр).

2018

• О.О. Брагина. Методы формирования высокотемпературных сверхпроводящих пленок на подложках аморфного кварца (бакалавр).
• Я.И. Головнин. Низкоомные контакты высокотемпературных сверхпроводников (бакалавр).
• Е.В. Жаркова. Особенности нелинейного поглощения коллоидных наноструктур селенида кадмия при возбуждении ультракороткими лазерными импульсами (бакалавр).
• А.Е. Мельников. Разработка и исследование акустоэлектронных нанобиосенсоров (бакалавр).
• Ш.Р. Саитов. Электрические и фотоэлектрические свойства фоточувствительных полимеров (бакалавр).
• Л.Д. Ханин. Раздельное определение фотоэлектрических параметров базовой области односторонних кремниевых солнечных элементов (бакалавр).
• Н.Г. Васильев. Бесконтактные измерения локальной фоточувствительности заготовок кремниевых солнечных элементов (магистр).
• П.М. Васильев. Влияние магнитного поля на переход от линейной к квадратичной частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников (магистр).
• В.В. Волков. Особенности излучения светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия в коротковолновой части спектра (магистр).
• И.Д. Лактаев. Нелинейное поглощение халькогенидов висмута, сурьмы и их четверных твердых растворов (магистр).
• Я.В.Петров. Нецентральность атомов марганца в титанатах бария-стронция (магистр).
• С.В. Попов. Электрические и фотоэлектрические свойства металлорганических перовскитов (магистр).
• Д.В. Пржиялковский. Особенности дифференциального пропускания нанопластинок селенида кадмия при стационарном возбуждении экситонов (магистр).
• Н.П. Скворцов. Лазерно модифицированные пленки аморфного кремния (магистр).

2017

• Я.В. Вальчук. Нелинейно-оптические явления в коллоидных квантовых точках селенида кадмия при одно- и двухфотонном возбуждении (магистр).
• А.Г. Галстян. Создание планарных одноэлектронных транзисторов и исследование коррелированного транспорта электронов в них (магистр).
• Н.С. Журавлев. Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму постоянной длины прыжка (магистр).
• В.И. Захаров. Исследование светодиодных гетероструктур InGaN/AlInGaN ультрафиолетового диапазона, выращенных на сапфировых подложках (магистр).
• И.Г. Карпов. Особенности прыжкового транспорта в наноструктурированных материалах (магистр).
• В.П. Кириллов. Особенное рассеяние света в монокристаллическом диарсениде цинка (магистр).
• С.М. Кузнецов. Влияние предварительной подсветки на последующую релаксацию фотоиндуцированной проводимости a-Si:H при T>140C (магистр).
• К.И. Куприянова. Локальное окружение и зарядовое состояние примесей Co и Ni в титанате бария (магистр).
• В.С. Новиков. Локальная структура и зарядовое состояние примесей Co и Ni в титанате стронция и титанате свинца (магистр).
• П.Д. Рыбалко. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок аморфного кремния, модифицированных лазерным излучением (магистр).
• Ю.В. Стебакова. Процессы самовоздействия в коллоидных растворах квантовых точек селенида кадмия (магистр).
• А.А. Дорофеев. Кремниевый нанопровод как основа наномеханического резонатора (бакалавр).
• К.А. Киютин. Экспериментальное исследование транспортных потерь на ненулевой частоте в высокотемпературных сверхпроводящих пленках (бакалавр).
• В.Ю. Кузнецов. Катодолюминесценция селенида цинка, легированного железом (бакалавр).
• В.Н. Лучкин. Нестационарный электронный транспорт в системе связанных квантовых точек (бакалавр).
• Д.А. Руденко. Особенности рассеяния мощного излучения лазера коллоидными квантовыми точками селенида кадмия (бакалавр).

2016

• Н.Г. Васильев. Неразрушающий способ измерения распределения фотопроводимости по площади пластины кремния с p-n переходом. (бакалавр)
• П.М. Васильев. Математическая модель управляемой нанопоры в полупроводниковой структуре. (бакалавр)
• В.В. Волков. Автоматизация экспериментальной установки для исследования вольт-амперных характеристик и спектров излучения светодиодов. (бакалавр)
• А.В. Колобов. Создание одномерного динамического фотонного кристалла при интерференции двух лазерных лучей в коллоидных полупроводниковых квантовых точках. (бакалавр)
• И.Д. Лактаев. Особенности спектров пропускания и фотолюминесценции квантовых точек селенида цинка. (бакалавр)
• Я.В. Петров. Анализ тонкой структуры в спектрах рентгеновского поглощения в титанате бария, легированном марганцем. (бакалавр)
• С.В. Попов. Металлоиндуцированная кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния. (бакалавр)
• Д.В. Пржиялковский. Особенности спектров пропускания и фотолюминесценции квантовых точек йодида серебра. (бакалавр)
• Н.П. Скворцов. Фотоиндуцированные эффекты в двухфазных пленках гидрированного кремния. (бакалавр)
• И.В. Тихонов. Нелинейно-оптические свойства динамических фотонных кристаллов в коллоидном растворе полупроводниковых квантовых точек. (бакалавр)

2015

• Я.В. Вальчук. Метод наведенных дифракционных решеток для исследования нелинейно-оптических явлений в полупроводниках. (бакалавр)
• Н.С. Журавлев. Электрические и фотоэлектрические свойства супрамолекулярных структур органических полупроводников. (бакалавр)
• В.И. Захаров. Электролюминесцентные и структурные свойства гетероструктур InGaN/GaN, полученных методом металлорганической эпитаксии. (бакалавр)
• И.Г. Карпов. Спектры и эффективность излучения квантоворазмерных гетероструктур InGaAsP, полученных методом металлорганической эпитаксии. (бакалавр)
• В.П. Кириллов. Свойства тонких пленок оксида цинка, легированных алюминием. (бакалавр)
• С.М. Кузнецов. Гистерезис проводимости пленок аморфного гидрированного кремния после освещения. (бакалавр)
• К.И. Куприянова. Локальная структура и зарядовое состояние 3d-примесей в титанате бария. (бакалавр)
• В.С. Новиков. Локальная структура и зарядовое состояние 3d-примесей в титанате свинца. (бакалавр)
• П.Д. Рыбалко. Электрические и фотоэлектрические свойства двухфазных пленок гидрированного кремния. (бакалавр)
• Ю.В. Стебакова. Метод накачки и зондирования для исследования нелинейно-оптических свойств полупроводников. (бакалавр)
• А.Г. Борискин. Нелинейно-оптические свойства нестационарных фотонных кристаллов в коллоидных полупроводниковых квантовых точках (специалист).
• Е.А. Валамин. Частотная зависимость угла потерь для высокочастотной релаксационной проводимости неупорядоченных полупроводников (специалист).
• А.Д. Голинская. Определение нелинейно-оптических процессов в коллоидных квантовых точках селенида кадмия методом накачки и зондирования (специалист).

2014

• Д.В. Амасев. Структура и фотоэлектрические свойства пленок аморфного кремния, модифицированных лазерным облучением.
• А.А. Липченко. Локальная структура и зарядовое состояние примеси марганца в танталате калия.
• А.А. Михин. Особенности СВЧ фотопроводимости двусторонних кремниевых солнечных элементов с базой n-типа.
• Д.Д. Можаев. Особенности нелинейного дифференциального пропускания коллоидных квантовых точек селенида кадмия.
• С.Н. Промыслов. Локальная структура и зарядовое состояние примесей кобальта и никеля в титанате бария.
• Л.П. Шурупова. Нестационарные эффекты в связанных квантовых точках.
• А.А. Цурукин. Внешний и внутренний квантовый выход катодолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе нитрида галлия с множественными квантовыми ямами.

2013

• М.Ф. Вениаминов. Анализ последовательного сопротивления в концентраторном кремниевом солнечном элементе с вертикальными электронно-дырочными переходами и с пленками прозрачных проводящих полимеров и оксидов.
• Н.В. Долгих. Самодифракция ультракоротких импульсов лазера на двухфотонно возбужденной дифракционной решетке в коллоидных квантовых точках.
• А.Р. Канев. Самовоздействие наносекундных импульсов лазера в коллоидных квантовых точках селенида кадмия.
• В.В. Малов. Фотоэлектрические свойства объемных гетеропереходов на основе полимерных композитов.
• А.А. Старцев. Исследование легированных бором диффузионных эмиттеров на планарной и текстурированной поверхности кремниевых солнечных элементов.

2012

• С.А. Миронов. Влияние термообработки на структурные и оптические свойства пористого кремния.
• Э.О. Николаев. Катодолюминесцентные процессы в гетероэпитаксиальных структурах GaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами.
• Н.Г. Руденко. Влияние толщины пленок полиморфного гидрированного кремния на их электрические и фотоэлектрические параметры.
• А.И. Фокеев. Катодолюминесценция кристаллов и пленок оксида цинка, легированных некоторыми редкоземельными элементами.

2011

• Р.М. Аль-Хужейри. Изменение формы лазерных импульсов двухфотонно поглощающими кристаллом GaAs и квантовыми точками CdSe/ZnS, помещенными внутри резонатора.
• Т.С. Белякова. Самодифракция в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS.
• Е.А. Дворников. Спектры фото- и электролюминесценции люминофоров для светодиодов белого свечения (на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN).
• Д.А. Задорин. Изучение методами протяженной тонкой структуры в спектрах рентгеновского поглощения и электронного парамагнитного резонанса примеси Mn в SrTiO3 и CaTiO3.
• Р.О. Иванов. Локальная структура и зарядовое состояние примеси Pr в SrTiO3 по данным XAFS-спектроскопии.
• П.С. Королев. Терагерцовая спектроскопия натуральных и изотопно-обогащенных кремния и германия.
• А.А. Распопин. Катодолюминесценция твердых растворов (Zn,Mn)O и (Zn,Mg)O.
• М.В. Хенкин. Свойства пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой.

2010

• Е.В. Воробьева. Моделирование электронных процессов в мощных транзисторах на основе широкозонных материалов.
• А.А. Хомич. Исследование структуры двухфазных пленок гидрированного кремния методом комбинационного рассеяния света.

2009

• A.A. Воробьев. Анализ локального нагрева решетки электронами и моделирование теплового режима в мощных полевых СВЧ транзисторах.
• Дау Ши Хьеу. Исследование особенностей эффектов самовоздействия в коллоидном растворе квантовых точек CdSe/ZnS.
• С.С. Дьяков. Исследование спектральной зависимости коэффициента поглощения в пленках гидрированного кремния с двухфазной структурой.
• Н.А. Кирилюк. Фотоэлектрические свойства слоистых пленок аморфного гидрированного кремния.
• А.Н. Клочков. Влияние кулоновского взаимодействия на энергетический спектр короткопериодных сверхрешеток с контролируемым беспорядком.
• М.В. Козлова. Пропускание света и фотолюминесценция в полупроводниковых квантовых точках первого и второго типов при различных температурах и уровнях накачки.
• А.М. Радина. Особенности частотной зависимости низкотемпературной бесфононной проводимости неупорядоченных систем.
• П.Е. Рузанов. Точечные квантовые контакты в разупорядоченных квазидвумерных структурах кремний-диэлектрик-металл с высокой концентрацией встроенных зарядов.
• Р.Ю. Скребцов. Локальное окружение примесных атомов Mn и Cd в SrTiO3 по данным XAFS-спектроскопии.
• В.В. Татулин. Зависимость спектров и эффективности светодиодов белого свечения от температуры.
• В.А. Шепелев. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции квантовых точек первого и второго типа.

2008

• Е.Н. Абуткина. Резонансное двухфотонное возбуждение экситонов в квантовых точках CdSe/ZnS.
• А.Н. Афанасьев. Исследование частотной зависимости проводимости в InMnAs.
• В.А. Венедиктов. Влияние ориентационного беспорядка на прыжковую проводимость неупорядоченных систем.
• Данг Тхай Зианг. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции и дифференциального пропускания квантовых точек CdSe/ZnS.
• А.Н. Данилин. Влияние p-p⁺ перехода на фоточувствительность кремниевого фотопреобразователя n⁺-p-p⁺ типа, облученного протонами.
• О.Е. Драчева. Зависимость поглощения квантовых точек CdSe/ZnS от температуры.
• П.А. Иоффе. Фотоиндуцированные метастабильные дефекты в высокоомных пленках a-Si:H.
• Г.К. Леонов. Влияние сильного поля на прыжковую проводимость неупорядоченных систем.
• К.В. Мельничук. Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах из арсенида галлия.
• Т.О. Феденко. Исследование усилительных свойств активных пиксельных сенсоров и их применение для регистрации заряженных частиц.

2007

• Р.С. Балдин. Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок аморфного гидрированного кремния.
• Д.А. Васильев. Катодолюминесценция пленок алмаза, имплантированных ионами дейтерия.
• Ф.А. Глубоков. Фотоиндуцированные изменения проводимости и фотопроводимости компенсированного аморфного гидрированного кремния.
• Д.А. Ефимов. Магниточувствительная микросхема на основе биполярного транзистора.
• Д.А. Кабанин. Нелинейное поглощение и преломление света в коллоидном растворе квантовых точек CdSe/ZnS при резонансном возбуждении экситонов.
• К.Ю. Косевич. Особенности проводимости неупорядоченных двумерных структур.
• В.В. Мищенко. Исследование локального окружения Pb в SrTiO₃, BaTiO₃ и CaTiO₃ методом EXAFS-спектроскопии.
• П.В. Петухов. Электрические свойства, квантовый выход излучения и светоотдача светодиодов голубого и белого свечения на основе гетероструктур типа AlGaN/InGaN/GaN.
• А.В. Пономарев. Влияние уровня возбуждения на механизмы краевой катодолюминесценции кристаллов оксида цинка.
• В.А. Потапенко. Температурная зависимость проводимости сверхрешеток со случайным крупномасштабным потенциалом (магистерская диссертация).
• А.В. Ракова. Резонансное двухфотонное поглощение света квантовыми точками CdSe/ZnS.
• А.В. Сидоркин. Катодолюминесценция искусственных кристаллов алмаза, легированных бором.
• Р.Р. Хамидуллин. Люминесценция коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS.

2006

• Е.В. Алексеев. Особенности прыжковой проводимости массивов квантовых точек.
• А.Н. Волобуева. Расчет распределения времен медленной релаксации.
• Н.А. Канавин. Катодолюминесценция пленок твердых растворов Al_xGa_1-xN (0<x<1).
• Е.В. Коробов. Световой поток и эффективность мощных светодиодов белого свечения.
• Ф.А. Лукьянов. Цветовые характеристики и моделирование спектров светодиодов белого свечения.
• Е.В. Перлов. Анализ спектральной зависимости, тока короткого замыкания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами.
• А.Н. Санталов. Релаксация носителей заряда по уровням размерного квантования в квантовых точках CdSe/ZnS.

2005

• С.Г. Енгибарян. Влияние примесей группы железа на спектры катодолюминесценции кристаллов оксида цинка.
• Д.С. Еремин. Фотоиндуцированные состояния в компенсированном аморфном кремнии.
• С.В. Каминский. Влияние отжига на катодолюминесцентные свойства кристаллов оксида цинка.
• А.П. Свотин. Влияние отжига на катодолюминесценцию гетероэпитаксиальных пленок ZnO:Ga, имплантированных азотом.
• М.А. Феклисов. Квантовые явления проводимости электростатически разупорядоченных Si-МОП структур с инверсионным p-каналом (III премия на конкурсе студенческих работ им. Р.В.Хохлова).
• С.С. Широков. Спектры люминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/AlGaN/GaN.

2004

• К.В. Богатырев. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов Cd_1-xZn_xAs₂.
• М.Г. Варешкин. Эффективность и цветовые характеристики белых светодиодов.
• Е.В. Зоткин. Катодолюминесценция пленок ZnO:Ga/Al₂O₃, имплантированных ионами азота.
• Р.Е. Костюк. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок аморфного гидрированного кремния, подвергнутых высокотемпературному отжигу в атмосфере водорода.
• С.С. Обыдена. Спектры электролюминесценции и электрические свойства гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN с модулированно легированными квантовыми ямами.
• Г.В. Прокофьев. Светоиндуцированный отжиг метастабильных состояний в аморфном гидрированном кремнии, слабо легированном бором.
• М.В. Рыжков. Люминесценция квантовых нитей CdSe/Al₂O₃ и монокристаллов CdSe при высоких уровнях фотовозбуждения.
• К.Ю. Хабарова. Исследование плотности электронных состояний в a-Si:H и mc-Si:H методом фотомодуляционной спектроскопии (III премия на конкурсе студенческих работ им. Р.В.Хохлова).
• О.В. Чесникова. Катодолюминесценция кристаллов ZnO, выращенных гидротермальным и газотранспортным методами.
• А.И. Шаталин. Спектры возбуждения фотолюминесценции нанокристаллов CdSe.

2003

• А.В. Евстафьев. Фотолюминесценция полупроводниковых квантовых нитей CdSe/Al₂O₃ при высоких уровнях возбуждения.
• И.В. Толпейкин. Лазерная спектроскопия полупроводниковых структур CdSe.
• А.В. Фенухин. Влияние освещения на электрофизические свойства пленок a-Si:H, легированных эрбием.

2002

• Ю.А. Гордеева. Поглощение света и люминесценция полупроводниковых квантовых точек и нитей CdSe с диэлектрическими барьерами.
• С.Д. Колониус. Катодолюминесценция пленок ZnO.
• В.Л. Лясковский. Люминесценция полупроводниковых (CdSe) квантовых нитей с диэлектрическими барьерами.
• А.В. Мальгинов. Изучение низкоразмерных свойств полупроводниковой фазы молекулярного кристалла (ET)₄Hg(SCN)₂.
• В.И. Минаев. Исследование локальной структуры твердого раствора PbS_xSe_1-x методом EXAFS-спектроскопии.
• А.С. Старков. Примесная катодолюминесценция пленок твердых растворов Al_xGa_1-xN/Si(111).
• Ю.В. Старокуров. Исследование полупроводниковых наноструктур, кристаллизованных в диэлектрической матрице, методом накачки и зондирования.
• А.А. Чугунов. Спектры люминесценции и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофором.

2000

• К.Е. Борисов. Особенности электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках с контролируемым беспорядком в режиме прыжкового переноса (III премия на конкурсе студенческих работ им. Р.В.Хохлова).
• А.М. Залеснов. Кинетика люминесценции пористого кремния при различных условиях возбуждения.
• Е.В. Литвак. Влияние освещения на электрофизические свойства пленок a-Si:H, легированного мышьяком.
• Е.С. Лобанова. Спиновая поляризация в двойных квантовых ямах.
• С.С. Мамакин. Спектры электролюминесценции, квантовый выход и проблемы деградации излучателей на основе GaN.
• Н.Ю. Маркова. Люминесценция экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP)--диэлектрик при различных уровнях возбуждения.
• М.В. Рыков. Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H, легированном бором.
• А.Н. Сырников. Люминесценция экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS)--диэлектрик.
• П.А. Форш. Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния, слабо легированного бором.

1999

• Л.В. Железнякова. Спектры дырок в квантовой нити.
• В.С. Касаточкин. Нелинейное поглощение нанокристаллов CdSe в стекле.
• Р.М. Раденко. Спектры полупроводниковых наноструктур CdS, CdSe, кристаллизованных в диэлектрической матрице из оксида алюминия.
• В.Е. Розанов. Вертикальная термоэдс сверхрешеток в режиме баллистических фононов.
• Н.В. Рыжкова. Фотоэлектрические свойства аморфного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации.

1998

• Б.Б. Кедич. Фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния в a-Si:H, легированном фосфором.
• В.Е. Кудряшов. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами.
• А.В. Мичурин. Полупроводниковые свойства и структура твердых растворов InGaTe и InTeSe.
• Ю.В. Мазаева. Оптические нелинейности в полупроводниковых нанокристаллах InP.
• О.А. Шалыгина. Исследование энергетической структуры и механизмов рекомбинации пористого InP.

1997

• А.Г. Белов. Влияние одноосного сжатия на спектры катодолюминесценции кристаллов Cd1-xMnxTe.
• В.В. Гусев. Исследование оптических свойств полупроводниковых наноструктур методом счета фотонов.
• К.Г. Золина. Спектры электролюминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN.
• Р.Н. Лушин. Кинетика релаксации метастабильных состояний в нелегированных пленках a-Si:H.
• А.Н. Онушко. Отжиг метастабильных дефектов, созданных освещением в a-Si:H, легированного бором.
• И.В. Панов. Изучение нелинейных оптических явлений при резонансном возбуждении полупроводниковых наноструктур.
• С.А. Румова. Внутрицентровая люминесценция Ni2+ в некоторых соединениях A2B6 и их твердых растворах.
• Т.Н. Толмачева. Исследование спектров катодолюминесценции синтетических кристаллов алмаза, выращенных из раствор-расплава, содержащего никель.
• К.А. Черноуцан. Исследование энергетической структуры и механизмов рекомбинации пористого InP.